单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesSTMicroelectronics
系列
-HEXFET®OptiMOS™STripFET™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
30 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.6A（Ta）35A（Tc）100A（Tc）195A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V5V，10V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.4 毫欧 @ 165A，10V3.4 毫欧 @ 50A，10V28 毫欧 @ 18A，10V50 毫欧 @ 3.6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250µA2.5V @ 250µA3.3V @ 41µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
11.2 nC @ 10 V31 nC @ 5 V41 nC @ 10 V140 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
495 pF @ 15 V1600 pF @ 25 V3000 pF @ 30 V11210 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
770mW（Ta）2.5W（Ta），74W（Tc）70W（Tc）380W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
D2PAKDPAKPG-TDSON-8-7SOT-23-3
封装/外壳
8-PowerTDFNTO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
显示
/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
DMG3406L-13
MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23
Diodes Incorporated
118,938
现货
1 : ¥3.37000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.50074
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
3.6A（Ta）
4.5V，10V
50 毫欧 @ 3.6A，10V
2V @ 250µA
11.2 nC @ 10 V
±20V
495 pF @ 15 V
-
770mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
MFG_DPAK(TO252-3)
STD30NF06LT4
MOSFET N-CH 60V 35A DPAK
STMicroelectronics
8,295
现货
1 : ¥11.00000
剪切带（CT）
2,500 : ¥4.56682
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
35A（Tc）
5V，10V
28 毫欧 @ 18A，10V
2.5V @ 250µA
31 nC @ 5 V
±20V
1600 pF @ 25 V
-
70W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
DPAK
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRLS3036TRLPBF
MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK
Infineon Technologies
1,992
现货
1 : ¥30.05000
剪切带（CT）
800 : ¥18.12475
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
195A（Tc）
4.5V，10V
2.4 毫欧 @ 165A，10V
2.5V @ 250µA
140 nC @ 4.5 V
±16V
11210 pF @ 50 V
-
380W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
8-Power TDFN
BSC034N06NSATMA1
MOSFET N-CH 60V 100A TDSON
Infineon Technologies
11,444
现货
1 : ¥15.02000
剪切带（CT）
5,000 : ¥6.30901
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
100A（Tc）
6V，10V
3.4 毫欧 @ 50A，10V
3.3V @ 41µA
41 nC @ 10 V
±20V
3000 pF @ 30 V
-
2.5W（Ta），74W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8-7
8-PowerTDFN
显示
/ 4

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。