单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
onsemiTexas InstrumentsToshiba Semiconductor and Storage
系列
-NexFET™U-MOSVI
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
115mA（Tc）2A（Ta）6A（Ta）100A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，10V4V，10V4.5V，10V5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1 毫欧 @ 35A，10V42 毫欧 @ 5A，10V300 毫欧 @ 1A，10V7.5 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.2V @ 1mA1.8V @ 250µA2V @ 1mA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
8.2 nC @ 4.5 V8.3 nC @ 10 V64 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
+10V，-20V±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50 pF @ 25 V330 pF @ 10 V560 pF @ 15 V9000 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
225mW（Ta）1W（Ta）3.2W（Ta），195W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
8-VSON-CLIP（5x6）SOT-23-3（TO-236）SOT-23F
封装/外壳
8-PowerTDFNSOT-23-3 扁平引线TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT 23-3
2N7002LT1G
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
onsemi
691,214
现货
1 : ¥2.22000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.37018
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
115mA（Tc）
5V，10V
7.5 欧姆 @ 500mA，10V
2.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
225mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
94,985
现货
1 : ¥2.96000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.63495
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
6A（Ta）
1.8V，10V
42 毫欧 @ 5A，10V
1.2V @ 1mA
8.2 nC @ 4.5 V
±12V
560 pF @ 15 V
-
1W（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
245,114
现货
1 : ¥3.37000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.73442
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
2A（Ta）
4V，10V
300 毫欧 @ 1A，10V
2V @ 1mA
8.3 nC @ 10 V
+10V，-20V
330 pF @ 10 V
-
1W（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
8-Power TDFN
CSD17573Q5B
MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Texas Instruments
3,389
现货
1 : ¥13.55000
剪切带（CT）
2,500 : ¥5.61091
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
100A（Ta）
4.5V，10V
1 毫欧 @ 35A，10V
1.8V @ 250µA
64 nC @ 4.5 V
±20V
9000 pF @ 15 V
-
3.2W（Ta），195W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-VSON-CLIP（5x6）
8-PowerTDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。