单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
EPCInfineon Technologies
系列
eGaN®OptiMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
技术
GaNFET（氮化镓）MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
40 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
10A（Ta）300A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
5V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.5 毫欧 @ 150A，10V16 毫欧 @ 10A，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 2mA3.8V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
2.5 nC @ 5 V211 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
+6V，-4V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
300 pF @ 20 V16000 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
375W（Tc）-
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）-40°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装
PG-HSOF-8-1模具
封装/外壳
8-PowerSFN模具
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
显示
/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
eGaN Series
EPC2014C
GANFET N-CH 40V 10A DIE OUTLINE
EPC
41,207
现货
1 : ¥13.14000
剪切带（CT）
2,500 : ¥5.43286
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
40 V
10A（Ta）
5V
16 毫欧 @ 10A，5V
2.5V @ 2mA
2.5 nC @ 5 V
+6V，-4V
300 pF @ 20 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
模具
模具
x-xSOF-8-1
IPT015N10N5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
Infineon Technologies
22,351
现货
1 : ¥49.92000
剪切带（CT）
2,000 : ¥26.53364
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
300A（Tc）
6V，10V
1.5 毫欧 @ 150A，10V
3.8V @ 250µA
211 nC @ 10 V
±20V
16000 pF @ 50 V
-
375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-HSOF-8-1
8-PowerSFN
显示
/ 2

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。