单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.onsemi
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
30 V80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
11A（Ta），68A（Tc）13A（Ta），84A（Tc）45A（Ta），50A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2 毫欧 @ 20A，10V5，9毫欧 @ 23A，10V9.5 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.2V @ 250µA4V @ 120µA4V @ 70µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
19 nC @ 10 V31 nC @ 10 V60 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1140 pF @ 40 V2040 pF @ 40 V2895 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
2，7W（Ta），100W（Tc）3.2W（Ta），107W（Tc）6.2W（Ta），83W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
8-DFN-EP（3x3）8-PQFN（3.3x3.3）8-WDFN（3.3x3.3）
封装/外壳
8-PowerVDFN8-PowerWDFN
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-DFN
AON7528
MOSFET N-CH 30V 45A/50A 8DFN
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
163,272
现货
1 : ¥5.01000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.65833
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
45A（Ta），50A（Tc）
4.5V，10V
2 毫欧 @ 20A，10V
2.2V @ 250µA
60 nC @ 10 V
±20V
2895 pF @ 15 V
-
6.2W（Ta），83W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-DFN-EP（3x3）
8-PowerVDFN
8-WDFN
NVTFS6H850NTAG
MOSFET N-CH 80V 11A/68A 8WDFN
onsemi
2,936
现货
1 : ¥8.13000
剪切带（CT）
1,500 : ¥3.58292
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
11A（Ta），68A（Tc）
10V
9.5 毫欧 @ 10A，10V
4V @ 70µA
19 nC @ 10 V
±20V
1140 pF @ 40 V
-
3.2W（Ta），107W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
8-WDFN（3.3x3.3）
8-PowerWDFN
8-WDFN
NTTFS5D9N08HTWG
MOSFET N-CH 80V 13A/84A 8PQFN
onsemi
3,280
现货
1 : ¥15.84000
剪切带（CT）
3,000 : ¥7.12866
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
13A（Ta），84A（Tc）
6V，10V
5，9毫欧 @ 23A，10V
4V @ 120µA
31 nC @ 10 V
±20V
2040 pF @ 40 V
-
2，7W（Ta），100W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-PQFN（3.3x3.3）
8-PowerWDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。