单 FET，MOSFET

结果 : 5
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
40 V60 V80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
16A（Ta），73A（Tc）18A（Ta），100A（Tc）23A（Ta），100A（Tc）24A（Ta），100A（Tc）30A（Ta），100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.6 毫欧 @ 50A，10V2.8 毫欧 @ 50A，10V4.7 毫欧 @ 50A，10V5.9 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 23µA2.8V @ 50µA2.8V @ 95µA3.3V @ 50µA3.5V @ 90µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
37 nC @ 10 V40 nC @ 10 V49 nC @ 10 V69 nC @ 10 V71 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2700 pF @ 30 V3200 pF @ 20 V3375 pF @ 30 V4800 pF @ 40 V5200 pF @ 30 V
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta），125W（Tc）2.5W（Ta），139W（Tc）2.5W（Ta），50W（Tc）2.5W（Ta），83W（Tc）3W（Ta），100W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
PG-TDSON-8 FLPG-TDSON-8-1PG-TDSON-8-5PG-TDSON-8-7
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-Power TDFN
BSC059N04LSGATMA1
MOSFET N-CH 40V 16A/73A TDSON
Infineon Technologies
53,171
现货
1 : ¥7.55000
剪切带（CT）
5,000 : ¥2.72799
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
16A（Ta），73A（Tc）
4.5V，10V
5.9 毫欧 @ 50A，10V
2V @ 23µA
40 nC @ 10 V
±20V
3200 pF @ 20 V
-
2.5W（Ta），50W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8-5
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
BSC028N06NSATMA1
MOSFET N-CH 60V 23A/100A TDSON
Infineon Technologies
2,739
现货
1 : ¥19.95000
剪切带（CT）
5,000 : ¥8.66072
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
23A（Ta），100A（Tc）
6V，10V
2.8 毫欧 @ 50A，10V
2.8V @ 50µA
37 nC @ 10 V
±20V
2700 pF @ 30 V
-
2.5W（Ta），83W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8-7
8-PowerTDFN
8-PowerTDFN
BSC016N06NSATMA1
MOSFET N-CH 60V 30A/100A TDSON
Infineon Technologies
24,140
现货
1 : ¥20.77000
剪切带（CT）
5,000 : ¥9.02266
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
30A（Ta），100A（Tc）
6V，10V
1.6 毫欧 @ 50A，10V
2.8V @ 95µA
71 nC @ 10 V
±20V
5200 pF @ 30 V
-
2.5W（Ta），139W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8 FL
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
BSC028N06NSTATMA1
MOSFET N-CH 60V 24A/100A TDSON
Infineon Technologies
19,789
现货
1 : ¥21.26000
剪切带（CT）
5,000 : ¥9.22326
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
24A（Ta），100A（Tc）
6V，10V
2.8 毫欧 @ 50A，10V
3.3V @ 50µA
49 nC @ 10 V
±20V
3375 pF @ 30 V
-
3W（Ta），100W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8-7
8-PowerTDFN
PG-TDSON-8-1
BSC047N08NS3GATMA1
MOSFET N-CH 80V 18A/100A TDSON
Infineon Technologies
9,511
现货
1 : ¥24.30000
剪切带（CT）
5,000 : ¥11.33979
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
18A（Ta），100A（Tc）
6V，10V
4.7 毫欧 @ 50A，10V
3.5V @ 90µA
69 nC @ 10 V
±20V
4800 pF @ 40 V
-
2.5W（Ta），125W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8-1
8-PowerTDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。