单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Diodes Incorporatedonsemi
系列
-PowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V150 V200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
35mA（Ta）2.6A（Ta）5.4A（Ta），16A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
34 毫欧 @ 5.4A，10V67 毫欧 @ 2.5A，4.5V80 欧姆 @ 50mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 250µA3.5V @ 1mA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
4.6 nC @ 4.5 V21 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50 pF @ 25 V447 pF @ 10 V1330 pF @ 75 V
功率耗散（最大值）
350mW（Ta）500mW（Ta）2.3W（Ta），54W（Tc）
供应商器件封装
Power33SOT-23-3SOT-323
封装/外壳
8-PowerWDFNSC-70，SOT-323TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
ZVP1320FTA
MOSFET P-CH 200V 35MA SOT23-3
Diodes Incorporated
40,881
现货
486,000
工厂
1 : ¥4.43000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.50478
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
35mA（Ta）
10V
80 欧姆 @ 50mA，10V
3.5V @ 1mA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
350mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-323
DMN3067LW-13
MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT-323
Diodes Incorporated
5,752
现货
40,000
工厂
1 : ¥3.20000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.61481
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
2.6A（Ta）
2.5V，4.5V
67 毫欧 @ 2.5A，4.5V
1.5V @ 250µA
4.6 nC @ 4.5 V
±12V
447 pF @ 10 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
Power33
FDMC86260
MOSFET N CH 150V 5.4A POWER 33
onsemi
16,694
现货
1 : ¥20.28000
剪切带（CT）
3,000 : ¥9.13138
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
5.4A（Ta），16A（Tc）
6V，10V
34 毫欧 @ 5.4A，10V
4V @ 250µA
21 nC @ 10 V
±20V
1330 pF @ 75 V
-
2.3W（Ta），54W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
Power33
8-PowerWDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。