单 FET,MOSFET

结果 : 3
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesRohm Semiconductor
系列
-OptiMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
30 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
170mA(Ta)18A(Tc)80A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V6V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
8.2 毫欧 @ 73A,10V23 毫欧 @ 7.5A,10V6 欧姆 @ 170mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 1mA2.5V @ 1mA3.5V @ 75µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
10.4 nC @ 4.5 V55 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
60 pF @ 25 V930 pF @ 15 V3980 pF @ 50 V
功率耗散(最大值)
200mW(Ta)15W(Tc)125W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)
供应商器件封装
8-HSMT(3.2x3)PG-TO252-3SOT-323
封装/外壳
8-PowerVDFNSC-70,SOT-323TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果

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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-323
BSS123WQ-7-F
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT323
Diodes Incorporated
241,681
现货
1 : ¥2.79000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.46763
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
170mA(Ta)
4.5V,10V
6 欧姆 @ 170mA,10V
2V @ 1mA
-
±20V
60 pF @ 25 V
-
200mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-323
SC-70,SOT-323
TO252-3
IPD082N10N3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
Infineon Technologies
27,026
现货
1 : ¥15.52000
剪切带(CT)
2,500 : ¥7.01176
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
80A(Tc)
6V,10V
8.2 毫欧 @ 73A,10V
3.5V @ 75µA
55 nC @ 10 V
±20V
3980 pF @ 50 V
-
125W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
8-HSMT
RQ3E075ATTB
MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8HSMT
Rohm Semiconductor
4,335
现货
1 : ¥6.81000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.64310
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
18A(Tc)
10V
23 毫欧 @ 7.5A,10V
2.5V @ 1mA
10.4 nC @ 4.5 V
±20V
930 pF @ 15 V
-
15W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-HSMT(3.2x3)
8-PowerVDFN
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。