单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Infineon TechnologiesRenesas Electronics Corporation
系列
-OptiMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
40 V120 V200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
34A（Tc）36A（Tc）56A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
14.7 毫欧 @ 56A，10V17 毫欧 @ 18A，10V32 毫欧 @ 34A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250µA4V @ 61µA4V @ 90µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
29 nC @ 10 V49 nC @ 10 V55 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2350 pF @ 100 V2800 pF @ 10 V3220 pF @ 60 V
功率耗散（最大值）
1.2W（Ta），56W（Tc）107W（Tc）136W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
PG-TO220-3PG-TO263-3TO-252（MP-3ZK）
封装/外壳
TO-220-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB320N20N3GATMA1
MOSFET N-CH 200V 34A D2PAK
Infineon Technologies
6,764
现货
1 : ¥28.49000
剪切带（CT）
1,000 : ¥14.74399
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
34A（Tc）
10V
32 毫欧 @ 34A，10V
4V @ 90µA
29 nC @ 10 V
±20V
2350 pF @ 100 V
-
136W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-220-3
IPP147N12N3GXKSA1
MOSFET N-CH 120V 56A TO220-3
Infineon Technologies
17,595
现货
1 : ¥14.20000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
120 V
56A（Ta）
10V
14.7 毫欧 @ 56A，10V
4V @ 61µA
49 nC @ 10 V
±20V
3220 pF @ 60 V
-
107W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
PG-TO220-3
TO-220-3
10,833
现货
1 : ¥14.12000
剪切带（CT）
2,500 : ¥6.35226
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
36A（Tc）
4.5V，10V
17 毫欧 @ 18A，10V
2.5V @ 250µA
55 nC @ 10 V
±20V
2800 pF @ 10 V
-
1.2W（Ta），56W（Tc）
175°C（TJ）
表面贴装型
TO-252（MP-3ZK）
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。