单 FET，MOSFET

结果 : 8
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.IXYSLittelfuse Inc.
系列
-GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™GigaMOS™, TrenchT2™HiPerFET™, TrenchHiPerFET™, Ultra X3Ultra X4
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
漏源电压（Vdss）
75 V100 V150 V200 V250 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
11.5A（Ta），152A（Tc）132A（Tc）220A（Tc）235A（Tc）334A（Tc）500A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.6 毫欧 @ 100A，10V2.6 毫欧 @ 60A，10V4.4 毫欧 @ 100A，10V5.5 毫欧 @ 110A，10V6.2 毫欧 @ 110A，10V6.2 毫欧 @ 20A，10V7.5 毫欧 @ 60A，10V13 毫欧 @ 90A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.5V @ 250µA4.5V @ 250µA4.5V @ 4mA5V @ 8mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
136 nC @ 10 V157 nC @ 10 V204 nC @ 10 V364 nC @ 10 V378 nC @ 10 V545 nC @ 10 V670 nC @ 10 V715 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
4700 pF @ 10 V6460 pF @ 75 V12300 pF @ 25 V13600 pF @ 25 V23800 pF @ 25 V28000 pF @ 25 V41000 pF @ 25 V47500 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
2.1W（Ta），375W（Tc）570W（Tc）680W（Tc）800W（Tc）830W（Tc）960W（Tc）1090W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
底座安装表面贴装型
供应商器件封装
24-SMPDSOT-227BTO-263（D2PAK）TO-268HV（IXFT）TO-268HV（IXTT）
封装/外壳
24-PowerSMD，21 引线SOT-227-4，miniBLOCTO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263ABTO-268-3，D3PAK（2 引线 + 凸片），TO-268AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
8结果
显示
/ 8
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-263 (D2Pak)
AOB2500L
MOSFET N-CH 150V 11.5/152A TO263
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
1,587
现货
1 : ¥32.92000
剪切带（CT）
800 : ¥19.90056
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
11.5A（Ta），152A（Tc）
6V，10V
6.2 毫欧 @ 20A，10V
3.5V @ 250µA
136 nC @ 10 V
±20V
6460 pF @ 75 V
-
2.1W（Ta），375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-268HV
IXFT220N20X3HV
MOSFET N-CH 200V 220A TO268HV
Littelfuse Inc.
1,593
现货
1 : ¥169.20000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
220A（Tc）
10V
6.2 毫欧 @ 110A，10V
4.5V @ 4mA
204 nC @ 10 V
±20V
13600 pF @ 25 V
-
960W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-268HV（IXFT）
TO-268-3，D3PAK（2 引线 + 凸片），TO-268AA
SMPD
MMIX1F520N075T2
MOSFET N-CH 75V 500A 24SMPD
IXYS
301
现货
1 : ¥192.03000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
75 V
500A（Tc）
10V
1.6 毫欧 @ 100A，10V
5V @ 8mA
545 nC @ 10 V
±20V
41000 pF @ 25 V
-
830W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
24-SMPD
24-PowerSMD，21 引线
IXYK1x0xNxxxx
IXFN230N20T
MOSFET N-CH 200V 220A SOT227B
Littelfuse Inc.
920
现货
1 : ¥300.56000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
220A（Tc）
10V
7.5 毫欧 @ 60A，10V
5V @ 8mA
378 nC @ 10 V
±20V
28000 pF @ 25 V
-
1090W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
底座安装
SOT-227B
SOT-227-4，miniBLOC
IXTH220N20X4HV
IXTT220N20X4HV
MOSFET N-CH 200V 220A X4 TO268HV
Littelfuse Inc.
117
现货
600
工厂
1 : ¥152.29000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
220A（Tc）
10V
5.5 毫欧 @ 110A，10V
4.5V @ 250µA
157 nC @ 10 V
±20V
12300 pF @ 25 V
-
800W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-268HV（IXTT）
TO-268-3，D3PAK（2 引线 + 凸片），TO-268AA
MOSFET N-CH 250V 132A 24SMPD
MMIX1F180N25T
MOSFET N-CH 250V 132A 24SMPD
IXYS
18
现货
1 : ¥387.42000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
250 V
132A（Tc）
10V
13 毫欧 @ 90A，10V
5V @ 8mA
364 nC @ 10 V
±20V
23800 pF @ 25 V
-
570W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
24-SMPD
24-PowerSMD，21 引线
MMIX1F420N10T
MMIX1F420N10T
MOSFET N-CH 100V 334A 24SMPD
IXYS
1
现货
440
工厂
1 : ¥396.21000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
334A（Tc）
10V
2.6 毫欧 @ 60A，10V
5V @ 8mA
670 nC @ 10 V
±20V
4700 pF @ 10 V
-
680W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
24-SMPD
24-PowerSMD，21 引线
SMPD
MMIX1F360N15T2
MOSFET N-CH 150V 235A 24SMPD
IXYS
0
现货
查看交期
300 : ¥298.83907
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
235A（Tc）
10V
4.4 毫欧 @ 100A，10V
5V @ 8mA
715 nC @ 10 V
±20V
47500 pF @ 25 V
-
680W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
24-SMPD
24-PowerSMD，21 引线
显示
/ 8

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。