单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
EPCVishay Siliconix
系列
eGaN®TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计最后售卖
技术
GaNFET（氮化镓）MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4.3A（Tc）48A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.8 毫欧 @ 25A，5V68 毫欧 @ 2.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250µA2.5V @ 9mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
12 nC @ 10 V14.8 nC @ 5 V
Vgs（最大值）
+6V，-4V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
550 pF @ 30 V1895 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
3W（Tc）-
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）-40°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装
SOT-23-3（TO-236）模具
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3模具
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
EPC2053
EPC2053
GANFET N-CH 100V 48A DIE
EPC
24,190
现货
1 : ¥53.86000
剪切带（CT）
2,500 : ¥26.20655
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
GaNFET（氮化镓）
100 V
48A（Ta）
5V
3.8 毫欧 @ 25A，5V
2.5V @ 9mA
14.8 nC @ 5 V
+6V，-4V
1895 pF @ 50 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
模具
模具
SOT-23-3
SQ2362ES-T1_BE3
MOSFET N-CH 60V 4.3A SOT23-3
Vishay Siliconix
2,521
现货
1 : ¥5.25000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.77589
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
4.3A（Tc）
4.5V，10V
68 毫欧 @ 2.4A，10V
2.5V @ 250µA
12 nC @ 10 V
±20V
550 pF @ 30 V
-
3W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
/ 2

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。