单 FET,MOSFET

结果 : 6
制造商
Infineon TechnologiesonsemiVishay Siliconix
系列
-HEXFET®PowerTrench®TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
20 V25 V40 V60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
660mA(Ta)1.25A(Ta)5.8A(Ta)11.3A(Tc)14.9A(Ta)90A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.5V,4.5V4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
7 毫欧 @ 14.9A,10V12.5 毫欧 @ 10A,10V24 毫欧 @ 5.8A,10V83 毫欧 @ 3.2A,10V170 毫欧 @ 1.25A,10V480 毫欧 @ 780mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.2V @ 250µA2.35V @ 10µA2.5V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
5.4 nC @ 10 V10 nC @ 10 V13.8 nC @ 10 V73 nC @ 10 V120 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±6V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
170 pF @ 16 V295 pF @ 50 V430 pF @ 10 V430 pF @ 30 V3845 pF @ 15 V5500 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
310mW(Ta)500mW(Ta)1.25W(Ta)2.5W(Ta)3.5W(Ta),19W(Tc)183W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)
供应商器件封装
8-SOICPowerPAK® SC-70-6PowerPAK® SO-8SOT-23SOT-23-3SOT-723
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)PowerPAK® SC-70-6PowerPAK® SO-8SOT-723TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
6结果

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/ 6
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
IRFML8244TRPBF
MOSFET N-CH 25V 5.8A SOT23
Infineon Technologies
29,074
现货
1 : ¥3.12000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.85127
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
25 V
5.8A(Ta)
4.5V,10V
24 毫欧 @ 5.8A,10V
2.35V @ 10µA
5.4 nC @ 10 V
±20V
430 pF @ 10 V
-
1.25W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
FDN5618P
MOSFET P-CH 60V 1.25A SUPERSOT3
onsemi
28,014
现货
1 : ¥3.45000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.14967
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
1.25A(Ta)
4.5V,10V
170 毫欧 @ 1.25A,10V
3V @ 250µA
13.8 nC @ 10 V
±20V
430 pF @ 30 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
PowerPak SC-70-6 Single
SIA416DJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 11.3A PPAK
Vishay Siliconix
6,559
现货
1 : ¥5.58000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.12689
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
11.3A(Tc)
4.5V,10V
83 毫欧 @ 3.2A,10V
3V @ 250µA
10 nC @ 10 V
±20V
295 pF @ 50 V
-
3.5W(Ta),19W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SC-70-6
PowerPAK® SC-70-6
8-SOIC
FDS8842NZ
MOSFET N-CH 40V 14.9A 8SOIC
onsemi
5,030
现货
1 : ¥9.03000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.73622
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
14.9A(Ta)
4.5V,10V
7 毫欧 @ 14.9A,10V
3V @ 250µA
73 nC @ 10 V
±20V
3845 pF @ 15 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
PowerPAK_SO-8L
SQJ147ELP-T1_GE3
MOSFET P-CH 40V 90A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
24,494
现货
1 : ¥7.88000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.24952
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
90A(Tc)
-
12.5 毫欧 @ 10A,10V
2.5V @ 250µA
120 nC @ 10 V
±20V
5500 pF @ 25 V
-
183W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
SOT-723_631AA
NTK3139PT1G
MOSFET P-CH 20V 660MA SOT723
onsemi
0
现货
查看交期
1 : ¥3.94000
剪切带(CT)
4,000 : ¥0.83711
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
660mA(Ta)
1.5V,4.5V
480 毫欧 @ 780mA,4.5V
1.2V @ 250µA
-
±6V
170 pF @ 16 V
-
310mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-723
SOT-723
显示
/ 6

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。