单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Diodes IncorporatedonsemiRohm Semiconductor
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V45 V50 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
220mA（Ta）2.5A（Ta）4.3A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，2.5V2.5V，4.5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
50 毫欧 @ 6A，10V130 毫欧 @ 2.5A，4.5V1.6 欧姆 @ 50mA，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.2V @ 250µA1.5V @ 1mA2.1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
2.4 nC @ 10 V3.2 nC @ 4.5 V11.8 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
58 pF @ 25 V250 pF @ 10 V642 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
350mW（Ta）1W（Ta）1.38W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
SOT-23-3TSMT3
封装/外壳
SC-96TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
BSS138K
MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3
onsemi
119,878
现货
1 : ¥2.79000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.50219
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
220mA（Ta）
1.8V，2.5V
1.6 欧姆 @ 50mA，5V
1.2V @ 250µA
2.4 nC @ 10 V
±12V
58 pF @ 25 V
-
350mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
DMP3056L-7
MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23
Diodes Incorporated
94,695
现货
1 : ¥3.20000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.87259
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
4.3A（Ta）
4.5V，10V
50 毫欧 @ 6A，10V
2.1V @ 250µA
11.8 nC @ 10 V
±25V
642 pF @ 25 V
-
1.38W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TSMT3
RTR025N05TL
MOSFET N-CH 45V 2.5A TSMT3
Rohm Semiconductor
0
现货
1 : ¥4.84000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.63890
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
45 V
2.5A（Ta）
2.5V，4.5V
130 毫欧 @ 2.5A，4.5V
1.5V @ 1mA
3.2 nC @ 4.5 V
±12V
250 pF @ 10 V
-
1W（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
TSMT3
SC-96
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。