单 FET,MOSFET

结果 : 4
制造商
Diodes IncorporatedSTMicroelectronicsVishay Siliconix
系列
-MDmesh™ K5TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)管件
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
40 V60 V900 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
8.6A(Ta)20A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
14.5 毫欧 @ 14.4A,10V45 毫欧 @ 4.4A,10V250 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250µA5V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
23.2 nC @ 10 V40 nC @ 10 V190 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1328 pF @ 20 V1500 pF @ 100 V
功率耗散(最大值)
1.6W(Ta)1.9W(Ta)250W(Tc)
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
PowerPAK® SO-8TO-220TO-252-3
封装/外壳
PowerPAK® SO-8TO-220-3TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果

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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PowerPAK SO-8
SI7461DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
35,431
现货
1 : ¥18.96000
剪切带(CT)
3,000 : ¥8.54468
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
8.6A(Ta)
4.5V,10V
14.5 毫欧 @ 14.4A,10V
3V @ 250µA
190 nC @ 10 V
±20V
-
-
1.9W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPAK SO-8
SI7461DP-T1-E3
MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
23,943
现货
1 : ¥18.96000
剪切带(CT)
3,000 : ¥8.54468
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
8.6A(Ta)
4.5V,10V
14.5 毫欧 @ 14.4A,10V
3V @ 250µA
190 nC @ 10 V
±20V
-
-
1.9W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
TO-252-2
DMP4047SK3-13
MOSFET P-CH 40V 20A TO252
Diodes Incorporated
62,005
现货
110,000
工厂
1 : ¥4.76000
剪切带(CT)
2,500 : ¥1.80573
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
20A(Tc)
4.5V,10V
45 毫欧 @ 4.4A,10V
3V @ 250µA
23.2 nC @ 10 V
±20V
1328 pF @ 20 V
-
1.6W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
TO-252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-220-3 Type A
STP20N90K5
MOSFET N-CH 900V 20A TO220
STMicroelectronics
792
现货
1 : ¥38.09000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
900 V
20A(Tc)
10V
250 毫欧 @ 10A,10V
5V @ 100µA
40 nC @ 10 V
±30V
1500 pF @ 100 V
-
250W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-220
TO-220-3
显示
/ 4

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。