单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Infineon TechnologiesVishay Siliconix
系列
-OptiMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
40 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
8A（Tc）14A（Ta），20A（Tc）60A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V7V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.52 毫欧 @ 30A，10V6.7 毫欧 @ 20A，10V63 毫欧 @ 4.3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.2V @ 35µA2.5V @ 250µA3V @ 14µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
12 nC @ 10 V18 nC @ 10 V67 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
470 pF @ 25 V1042 pF @ 25 V5100 pF @ 30 V
功率耗散（最大值）
2.1W（Ta），69W（Tc）33W（Tc）42W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
PG-TDSON-8PG-TSDSON-8PowerPAK® 1212-8
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerVDFNPowerPAK® 1212-8
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-TSDSON
BSZ067N06LS3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 14A/20A 8TSDSON
Infineon Technologies
17,516
现货
1 : ¥11.66000
剪切带（CT）
5,000 : ¥4.60715
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
14A（Ta），20A（Tc）
4.5V，10V
6.7 毫欧 @ 20A，10V
2.2V @ 35µA
67 nC @ 10 V
±20V
5100 pF @ 30 V
-
2.1W（Ta），69W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TSDSON-8
8-PowerVDFN
10,517
现货
1 : ¥6.81000
剪切带（CT）
5,000 : ¥2.69919
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
60A（Tc）
7V，10V
4.52 毫欧 @ 30A，10V
3V @ 14µA
18 nC @ 10 V
±20V
1042 pF @ 25 V
-
42W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TDSON-8
8-PowerTDFN
PowerPAK 1212-8 Single
SQS462EN-T1_BE3
N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Vishay Siliconix
15,060
现货
1 : ¥8.13000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.36159
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
8A（Tc）
4.5V，10V
63 毫欧 @ 4.3A，10V
2.5V @ 250µA
12 nC @ 10 V
±20V
470 pF @ 25 V
-
33W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。