单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Diodes IncorporatedTexas Instruments
系列
-NexFET™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
25 V250 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
310mA（Ta）100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，10V2.5V，8V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.7 毫欧 @ 20A，8V8.5 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.1V @ 250µA1.8V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
3.65 nC @ 10 V7.1 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
+10V，-8V±40V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
72 pF @ 25 V1350 pF @ 12.5 V
功率耗散（最大值）
2W（Ta）3W（Ta）
供应商器件封装
8-VSONP（5x6）SOT-223-3
封装/外壳
8-PowerTDFNTO-261-4，TO-261AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
显示
/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-223-3
ZVN4525GTA
MOSFET N-CH 250V 310MA SOT223
Diodes Incorporated
4,063
现货
143,000
工厂
1 : ¥7.31000
剪切带（CT）
1,000 : ¥3.10881
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
250 V
310mA（Ta）
2.5V，10V
8.5 欧姆 @ 500mA，10V
1.8V @ 1mA
3.65 nC @ 10 V
±40V
72 pF @ 25 V
-
2W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-223-3
TO-261-4，TO-261AA
8-Power TDFN
CSD16342Q5A
MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
Texas Instruments
5,125
现货
1 : ¥8.95000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.69231
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
25 V
100A（Tc）
2.5V，8V
4.7 毫欧 @ 20A，8V
1.1V @ 250µA
7.1 nC @ 4.5 V
+10V，-8V
1350 pF @ 12.5 V
-
3W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-VSONP（5x6）
8-PowerTDFN
显示
/ 2

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。