单 FET,MOSFET

结果 : 9
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
20 V30 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
220mA(Ta)260mA(Ta)320mA(Ta)410mA(Ta)530mA(Ta)550mA(Ta)700mA(Ta)750mA(Ta)4.2A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.2V,4.5V1.2V,5V1.5V,4.5V1.5V,4V1.8V,4.5V2.5V,4.5V4.5V,10V5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
45 毫欧 @ 1A,4.5V550 毫欧 @ 600mA,4.5V970 毫欧 @ 100mA,5V990 毫欧 @ 100mA,4.5V1.4 欧姆 @ 40mA,10V1.5 欧姆 @ 100mA,4.5V1.9 欧姆 @ 100mA,4.5V2 欧姆 @ 100mA,4V3 欧姆 @ 115mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
900mV @ 250µA1V @ 250µA1.2V @ 250µA2V @ 250µA2.3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.35 nC @ 4.5 V0.4 nC @ 4.5 V0.5 nC @ 4.5 V0.9 nC @ 4.5 V1.9 nC @ 4.5 V2.8 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
-20V±8V±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
21.5 pF @ 16 V22.2 pF @ 15 V25 pF @ 25 V28.7 pF @ 15 V36 pF @ 16 V46.1 pF @ 10 V64 pF @ 25 V80 pF @ 40 V425 pF @ 10 V
功率耗散(最大值)
393mW(Ta)430mW(Ta)460mW(Ta)470mW(Ta)500mW(Ta)530mW(Ta)650mW(Ta)820mW(Ta)
供应商器件封装
X1-DFN1006-3X2-DFN0604-3X2-DFN0606-3X2-DFN1006-3X2-DSN1010-3
封装/外壳
3-UFDFN3-XFDFN
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
9结果

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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
X2-DFN1006-3
DMN2400UFB-7
MOSFET N-CH 20V 750MA 3DFN
Diodes Incorporated
639,904
现货
486,000
工厂
1 : ¥2.63000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.51311
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
750mA(Ta)
1.8V,4.5V
550 毫欧 @ 600mA,4.5V
900mV @ 250µA
0.5 nC @ 4.5 V
±12V
36 pF @ 16 V
-
470mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
X1-DFN1006-3
3-UFDFN
X2-DFN1006-3
DMN62D1LFB-7B
MOSFET N-CH 60V 320MA 3DFN
Diodes Incorporated
111,346
现货
3,430,000
工厂
1 : ¥3.20000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.47501
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
320mA(Ta)
1.5V,4V
2 欧姆 @ 100mA,4V
1V @ 250µA
0.9 nC @ 4.5 V
±20V
64 pF @ 25 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
X1-DFN1006-3
3-UFDFN
X2-DFN1006-3
DMN65D8LFB-7B
MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN
Diodes Incorporated
451,207
现货
100,000
工厂
1 : ¥1.89000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.20525
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
260mA(Ta)
5V,10V
3 欧姆 @ 115mA,10V
2V @ 250µA
-
±20V
25 pF @ 25 V
-
430mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
X1-DFN1006-3
3-UFDFN
X2-DFN0606-3
DMN31D5UFZ-7B
MOSFET N-CH 30V 220MA 3DFN
Diodes Incorporated
83,061
现货
80,000
工厂
1 : ¥2.96000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.68428
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
220mA(Ta)
1.2V,4.5V
1.5 欧姆 @ 100mA,4.5V
1V @ 250µA
0.35 nC @ 4.5 V
±12V
22.2 pF @ 15 V
-
393mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
X2-DFN0606-3
3-XFDFN
X2-DFN1006-3
DMP21D5UFB4-7B
MOSFET P-CH 20V 700MA 3DFN
Diodes Incorporated
158,508
现货
760,000
工厂
1 : ¥3.04000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.45699
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
700mA(Ta)
1.2V,5V
970 毫欧 @ 100mA,5V
1V @ 250µA
0.5 nC @ 4.5 V
±8V
46.1 pF @ 10 V
-
460mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
X2-DFN1006-3
3-XFDFN
X4-DSN1006-3
DMP2043UCA3-7
MOSFET P-CH 20V 4.2A X2DSN1010-3
Diodes Incorporated
2,055
现货
865,000
工厂
1 : ¥3.45000
剪切带(CT)
5,000 : ¥1.10161
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
4.2A(Ta)
2.5V,4.5V
45 毫欧 @ 1A,4.5V
1.2V @ 250µA
1.9 nC @ 4.5 V
-20V
425 pF @ 10 V
-
650mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
X2-DSN1010-3
3-XFDFN
X2-DFN1006-3
DMN62D1SFB-7B
MOSFET N-CH 60V 410MA 3DFN
Diodes Incorporated
137,561
现货
23,140,000
工厂
1 : ¥3.69000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.70460
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
410mA(Ta)
4.5V,10V
1.4 欧姆 @ 40mA,10V
2.3V @ 250µA
2.8 nC @ 10 V
±20V
80 pF @ 40 V
-
470mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
X1-DFN1006-3
3-UFDFN
X2-DFN0606-3
DMN2991UFZ-7B
MOSFET N-CH 20V 550MA 3DFN
Diodes Incorporated
6,070
现货
1,440,000
工厂
1 : ¥3.04000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.35918
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
550mA(Ta)
1.2V,4.5V
990 毫欧 @ 100mA,4.5V
1V @ 250µA
0.35 nC @ 4.5 V
±8V
21.5 pF @ 16 V
-
530mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
X2-DFN0606-3
3-XFDFN
MOSFET P-CH 20V 530MA 3DFN
DMP22D4UFO-7B
MOSFET P-CH 20V 530MA 3DFN
Diodes Incorporated
30,501
现货
770,000
工厂
1 : ¥3.61000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.83308
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
530mA(Ta)
1.5V,4.5V
1.9 欧姆 @ 100mA,4.5V
1V @ 250µA
0.4 nC @ 4.5 V
±8V
28.7 pF @ 15 V
-
820mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
X2-DFN0604-3
3-XFDFN
显示
/ 9

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。