单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.STMicroelectronics
系列
-AlphaMOSSuperMESH™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V1000 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.85A（Tc）14A（Ta），24A（Tc）25A（Ta），28A（Tc）47A（Ta），85A（Tc）71A（Ta），200A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，10V4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
0.95 毫欧 @ 20A，10V2.1 毫欧 @ 20A，10V3.3 毫欧 @ 20A，10V16.5 毫欧 @ 20A，10V8.5 欧姆 @ 900mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.2V @ 250µA1.3V @ 250µA2V @ 250µA2.3V @ 250µA4.5V @ 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
16 nC @ 10 V34 nC @ 10 V50 nC @ 10 V145 nC @ 10 V330 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V±20V±25V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
499 pF @ 25 V1180 pF @ 15 V2250 pF @ 15 V7036 pF @ 15 V10290 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
3.1W（Ta），32W（Tc）5W（Ta），24.5W（Tc）7.3W（Ta），156W（Tc）7.3W（Ta），83W（Tc）70W（Tc）
供应商器件封装
8-DFN-EP（3x3）8-DFN（5x6）DPAK
封装/外壳
8-PowerSMD，扁平引线8-PowerVDFNTO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-DFN
AON7524
MOSFET N-CH 30V 25A/28A 8DFN
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
38,285
现货
1 : ¥8.54000
剪切带（CT）
5,000 : ¥1.88060
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
25A（Ta），28A（Tc）
2.5V，10V
3.3 毫欧 @ 20A，10V
1.2V @ 250µA
50 nC @ 10 V
±12V
2250 pF @ 15 V
-
3.1W（Ta），32W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-DFN-EP（3x3）
8-PowerVDFN
8-DFN
AON6411
MOSFET P-CH 20V 47A/85A 8DFN
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
97,730
现货
1 : ¥9.36000
剪切带（CT）
3,000 : ¥4.98746
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
47A（Ta），85A（Tc）
2.5V，10V
2.1 毫欧 @ 20A，10V
1.3V @ 250µA
330 nC @ 10 V
±12V
10290 pF @ 10 V
-
7.3W（Ta），156W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-DFN（5x6）
8-PowerSMD，扁平引线
8-DFN
AON6500
MOSFET N CH 30V 71A DFN5X6
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
26,209
现货
1 : ¥13.55000
剪切带（CT）
3,000 : ¥6.10963
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
71A（Ta），200A（Tc）
4.5V，10V
0.95 毫欧 @ 20A，10V
2V @ 250µA
145 nC @ 10 V
±20V
7036 pF @ 15 V
-
7.3W（Ta），83W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-DFN（5x6）
8-PowerSMD，扁平引线
MFG_DPAK(TO252-3)
STD2NK100Z
MOSFET N-CH 1000V 1.85A DPAK
STMicroelectronics
4,609
现货
1 : ¥18.23000
剪切带（CT）
2,500 : ¥8.22816
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
1000 V
1.85A（Tc）
10V
8.5 欧姆 @ 900mA，10V
4.5V @ 50µA
16 nC @ 10 V
±30V
499 pF @ 25 V
-
70W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
DPAK
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
8-DFN
AONS21321
MOSFET P-CH 30V 14A/24A 8DFN
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
66,520
现货
1 : ¥4.19000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.41874
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
14A（Ta），24A（Tc）
4.5V，10V
16.5 毫欧 @ 20A，10V
2.3V @ 250µA
34 nC @ 10 V
±25V
1180 pF @ 15 V
-
5W（Ta），24.5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-DFN（5x6）
8-PowerSMD，扁平引线
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。