单 FET，MOSFET

结果 : 21
制造商
Infineon TechnologiesMicro Commercial CoNexperia USA Inc.onsemiUMWVishay Siliconix
系列
-HEXFET®PowerTrench®SIPMOS®TrenchFET®TrenchMOS™UMW
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V25 V30 V50 V60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA（Ta）220mA（Ta）230mA（Ta）360mA（Ta）1A（Ta）1.4A（Tc）1.7A（Ta）2A（Ta）2.2A（Ta）2.4A（Ta）2.8A（Ta）3A（Ta）3.1A（Tc）3.7A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V2.5V，10V2.5V，4.5V2.7V，4.5V4.5V，10V5V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
24 毫欧 @ 6.5A，10V35 毫欧 @ 3A，4.5V52 毫欧 @ 2.4A，4.5V55 毫欧 @ 2.4A，4.5V65 毫欧 @ 2.2A，4.5V65 毫欧 @ 3.7A，4.5V70 毫欧 @ 1.7A，4.5V70 毫欧 @ 2A，4.5V80 毫欧 @ 2A，10V112 毫欧 @ 2.8A，4.5V120 毫欧 @ 2.8A，4.5V132 毫欧 @ 1.4A，10V155 毫欧 @ 1A，10V300 毫欧 @ 1.1A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA1.06V @ 250µA1.2V @ 250µA1.4V @ 26µA1.5V @ 1mA1.5V @ 250µA1.6V @ 250µA2.2V @ 250µA2.5V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.7 nC @ 4.5 V1.4 nC @ 10 V2.8 nC @ 4.5 V3.5 nC @ 4.5 V4.1 nC @ 10 V5 nC @ 4.5 V6.3 nC @ 4.5 V9 nC @ 4.5 V9 nC @ 10 V10 nC @ 4.5 V12 nC @ 5 V14 nC @ 4.5 V14.5 nC @ 4.5 V20 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±8V±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
9.5 pF @ 10 V41 pF @ 25 V50 pF @ 25 V56 pF @ 10 V105 pF @ 15 V182 pF @ 25 V195 pF @ 10 V298 pF @ 15 V300 pF @ 10 V310 pF @ 10 V405 pF @ 10 V423 pF @ 10 V633 pF @ 10 V700 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
225mW（Ta）350mW（Ta）350mW（Ta），1.14W（Tc）360mW（Ta）400mW（Ta）400mW（Ta），500mW（Tc）500mW（Ta）860mW（Ta），1.6W（Tc）900mW（Ta）1W（Ta）1.25W（Ta）1.3W（Ta）2.3W（Ta），41W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
8-MLP（3.3x3.3）Micro3™/SOT-23PG-SOT23SC-70-3SOT-23SOT-23-3SOT-23-3（TO-236）TO-236AB
封装/外壳
8-PowerWDFNSC-70，SOT-323TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
21结果
显示
/ 21
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
FDV301N
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
onsemi
293,592
现货
1 : ¥2.71000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.45080
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
25 V
220mA（Ta）
2.7V，4.5V
4 欧姆 @ 400mA，4.5V
1.06V @ 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±8V
9.5 pF @ 10 V
-
350mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-236AB
BSS138BK,215
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
459,053
现货
1 : ¥2.87000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.47814
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
360mA（Ta）
10V
1.6 欧姆 @ 350mA，10V
1.6V @ 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±20V
56 pF @ 10 V
-
350mW（Ta），1.14W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
SI2301CDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
Vishay Siliconix
152,889
现货
1 : ¥3.04000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.82533
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
3.1A（Tc）
2.5V，4.5V
112 毫欧 @ 2.8A，4.5V
1V @ 250µA
10 nC @ 4.5 V
±8V
405 pF @ 10 V
-
860mW（Ta），1.6W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT 23-3
BSS138LT1G
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
onsemi
366,000
现货
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.52959
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
200mA（Ta）
5V
3.5 欧姆 @ 200mA，5V
1.5V @ 1mA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
225mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
BSS138NH6327XTSA2
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
Infineon Technologies
118,707
现货
1 : ¥3.20000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.54535
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
230mA（Ta）
4.5V，10V
3.5 欧姆 @ 230mA，10V
1.4V @ 26µA
1.4 nC @ 10 V
±20V
41 pF @ 25 V
-
360mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT 23-3
NTR5198NLT1G
MOSFET N-CH 60V 1.7A SOT23-3
onsemi
117,816
现货
1 : ¥3.20000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.70799
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
1.7A（Ta）
4.5V，10V
155 毫欧 @ 1A，10V
2.5V @ 250µA
2.8 nC @ 4.5 V
±20V
182 pF @ 25 V
-
900mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT 23
SI2301-TP
MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT-23
Micro Commercial Co
26,736
现货
1 : ¥3.53000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.77922
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
2.8A（Ta）
2.5V，4.5V
120 毫欧 @ 2.8A，4.5V
1V @ 250µA
14.5 nC @ 4.5 V
±8V
880 pF @ 6 V
-
1.25W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
Pkg 5549
SI1308EDL-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT323
Vishay Siliconix
35,235
现货
1 : ¥3.61000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.97327
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
1.4A（Tc）
2.5V，10V
132 毫欧 @ 1.4A，10V
1.5V @ 250µA
4.1 nC @ 10 V
±12V
105 pF @ 15 V
-
400mW（Ta），500mW（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SC-70-3
SC-70，SOT-323
SOT-23-3
FDN335N
MOSFET N-CH 20V 1.7A SUPERSOT3
onsemi
23,473
现货
1 : ¥3.61000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.20594
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
1.7A（Ta）
2.5V，4.5V
70 毫欧 @ 1.7A，4.5V
1.5V @ 250µA
5 nC @ 4.5 V
±8V
310 pF @ 10 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
NDS332P
MOSFET P-CH 20V 1A SUPERSOT3
onsemi
96,230
现货
1 : ¥3.78000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.27810
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
1A（Ta）
2.7V，4.5V
300 毫欧 @ 1.1A，4.5V
1V @ 250µA
5 nC @ 4.5 V
±8V
195 pF @ 10 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
FDN327N
MOSFET N-CH 20V 2A SUPERSOT3
onsemi
32,709
现货
24,000
工厂
1 : ¥3.78000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.02387
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
2A（Ta）
1.8V，4.5V
70 毫欧 @ 2A，4.5V
1.5V @ 250µA
6.3 nC @ 4.5 V
±8V
423 pF @ 10 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
FDN339AN
MOSFET N-CH 20V 3A SUPERSOT3
onsemi
48,967
现货
141,000
工厂
1 : ¥3.94000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.31600
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
3A（Ta）
2.5V，4.5V
35 毫欧 @ 3A，4.5V
1.5V @ 250µA
10 nC @ 4.5 V
±8V
700 pF @ 10 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
FDN302P
MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3
onsemi
20,185
现货
1 : ¥4.10000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.11730
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
2.4A（Ta）
2.5V，4.5V
55 毫欧 @ 2.4A，4.5V
1.5V @ 250µA
14 nC @ 4.5 V
±12V
882 pF @ 10 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
FDN360P
MOSFET P-CH 30V 2A SUPERSOT3
onsemi
74,151
现货
1 : ¥4.19000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.13027
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
2A（Ta）
4.5V，10V
80 毫欧 @ 2A，10V
3V @ 250µA
9 nC @ 10 V
±20V
298 pF @ 15 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
FDN304P
MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3
onsemi
29,518
现货
1 : ¥4.43000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.48113
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
2.4A（Ta）
1.8V，4.5V
52 毫欧 @ 2.4A，4.5V
1.5V @ 250µA
20 nC @ 4.5 V
±8V
1312 pF @ 10 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
FDN337N
MOSFET N-CH 30V 2.2A SUPERSOT3
onsemi
149,550
现货
1 : ¥4.52000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.53127
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
2.2A（Ta）
2.5V，4.5V
65 毫欧 @ 2.2A，4.5V
1V @ 250µA
9 nC @ 4.5 V
±8V
300 pF @ 10 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML6402TRPBF
MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23
Infineon Technologies
151,431
现货
1 : ¥4.60000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.03881
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
3.7A（Ta）
2.5V，4.5V
65 毫欧 @ 3.7A，4.5V
1.2V @ 250µA
12 nC @ 5 V
±12V
633 pF @ 10 V
-
1.3W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
FDN304PZ
MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3
onsemi
43,629
现货
24,000
工厂
1 : ¥5.01000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.67926
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
2.4A（Ta）
1.8V，4.5V
52 毫欧 @ 2.4A，4.5V
1.5V @ 250µA
20 nC @ 4.5 V
±8V
1310 pF @ 10 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
8-MLP, Power33
FDMC86102LZ
MOSFET N-CH 100V 7A/18A 8MLP
onsemi
5,767
现货
1 : ¥14.29000
剪切带（CT）
3,000 : ¥6.45042
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
7A（Ta），18A（Tc）
4.5V，10V
24 毫欧 @ 6.5A，10V
2.2V @ 250µA
22 nC @ 10 V
±20V
1290 pF @ 50 V
-
2.3W（Ta），41W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-MLP（3.3x3.3）
8-PowerWDFN
FDN338P
FDN338P
20V 1.6A 500MW 115MR@4.5V,1.6A 1
UMW
0
现货
查看交期
1 : ¥2.87000
剪切带（CT）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
2.8A（Ta）
2.5V，4.5V
112 毫欧 @ 2.8A，4.5V
1V @ 250µA
10 nC @ 4.5 V
±8V
405 pF @ 10 V
-
400mW（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
FDN335N
FDN335N
SOT-23 MOSFETS ROHS
UMW
0
现货
查看交期
1 : ¥4.19000
剪切带（CT）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
1.7A（Ta）
2.5V，4.5V
70 毫欧 @ 1.7A，4.5V
1.5V @ 250µA
3.5 nC @ 4.5 V
±8V
310 pF @ 10 V
-
1W（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
/ 21

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。