单 FET，MOSFET

结果 : 9
制造商
Infineon TechnologiesLittelfuse Inc.Micro Commercial CoonsemiSTMicroelectronics
系列
-HEXFET®HiPerFET™, PolarOptiMOS™PowerTrench®STripFET™ II
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
产品状态
停产最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V40 V60 V150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
12A（Ta），46A（Tc）14A（Ta），42A（Tc）40A（Tc）50A（Tc）56A（Tc）80A（Tc）86A（Tc）150A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
5.5 毫欧 @ 40A，10V5.8 毫欧 @ 25A，10V7.5 毫欧 @ 30A，10V9 毫欧 @ 13A，10V9 毫欧 @ 30A，10V9.5 毫欧 @ 15A，10V12 毫欧 @ 12A，10V12 毫欧 @ 25A，10V13 毫欧 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.2V @ 250µA2.25V @ 25µA2.35V @ 50µA2.5V @ 250µA3V @ 250µA5V @ 4mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
14 nC @ 4.5 V15 nC @ 10 V18 nC @ 5 V18 nC @ 10 V23 nC @ 4.5 V27 nC @ 5 V28 nC @ 10 V79 nC @ 10 V190 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±18V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1150 pF @ 15 V1230 pF @ 15 V1600 pF @ 15 V1640 pF @ 20 V1900 pF @ 15 V2060 pF @ 25 V2150 pF @ 15 V4260 pF @ 30 V5800 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
3.1W（Ta），43W（Tc）3.3W（Ta），56W（Tc）42W（Tc）47W（Tc）50W（Tc）75W（Tc）89W110W（Tc）714W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
DPAKPG-TO252-3-11TO-247AD（IXFH）TO-252（DPAK）TO-252AATO-252AA (DPAK)
封装/外壳
TO-247-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
9结果
显示
/ 9
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO252-3
IRLR8726TRPBF
MOSFET N-CH 30V 86A DPAK
Infineon Technologies
17,723
现货
1 : ¥5.09000
剪切带（CT）
2,000 : ¥1.70863
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
86A（Tc）
4.5V，10V
5.8 毫欧 @ 25A，10V
2.35V @ 50µA
23 nC @ 4.5 V
±20V
2150 pF @ 15 V
-
75W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO252-3
IPD090N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 40A TO252-3
Infineon Technologies
91,944
现货
1 : ¥4.43000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.07196
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
40A（Tc）
4.5V，10V
9 毫欧 @ 30A，10V
2.2V @ 250µA
15 nC @ 10 V
±20V
1600 pF @ 15 V
-
42W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO252-3-11
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO252-3
IPD075N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Infineon Technologies
15,528
现货
1 : ¥5.01000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.40137
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
50A（Tc）
4.5V，10V
7.5 毫欧 @ 30A，10V
2.2V @ 250µA
18 nC @ 10 V
±20V
1900 pF @ 15 V
-
47W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO252-3-11
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
MBRD6100CT-TP
MCU50P06Y-TP
P-CHANNEL MOSFET,DPAK
Micro Commercial Co
2,144
现货
1 : ¥18.14000
剪切带（CT）
2,500 : ¥8.18846
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
50A（Tc）
4.5V，10V
12 毫欧 @ 25A，10V
3V @ 250µA
79 nC @ 10 V
±18V
4260 pF @ 30 V
-
89W
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-252（DPAK）
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-247_IXFH
IXFH150N15P
MOSFET N-CH 150V 150A TO247AD
Littelfuse Inc.
299
现货
1 : ¥99.34000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
150A（Tc）
10V
13 毫欧 @ 500mA，10V
5V @ 4mA
190 nC @ 10 V
±20V
5800 pF @ 25 V
-
714W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-247AD（IXFH）
TO-247-3
TO252-3
IRFR3707ZTRPBF
MOSFET N-CH 30V 56A DPAK
Infineon Technologies
36,241
现货
1 : ¥10.92000
剪切带（CT）
2,000 : ¥2.80985
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
56A（Tc）
4.5V，10V
9.5 毫欧 @ 15A，10V
2.25V @ 25µA
14 nC @ 4.5 V
±20V
1150 pF @ 15 V
-
50W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-252AA
FDD8647L
MOSFET N-CH 40V 14A/42A DPAK
onsemi
10,138
现货
1 : ¥11.25000
剪切带（CT）
2,500 : ¥4.63943
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
14A（Ta），42A（Tc）
4.5V，10V
9 毫欧 @ 13A，10V
3V @ 250µA
28 nC @ 10 V
±20V
1640 pF @ 20 V
-
3.1W（Ta），43W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-252AA
FDD6690A
MOSFET N-CH 30V 12A/46A DPAK
onsemi
0
现货
1 : ¥8.78000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.63208
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
12A（Ta），46A（Tc）
4.5V，10V
12 毫欧 @ 12A，10V
3V @ 250µA
18 nC @ 5 V
±20V
1230 pF @ 15 V
-
3.3W（Ta），56W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
MFG_DPAK(TO252-3)
STD100N3LF3
MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
STMicroelectronics
0
现货
1 : ¥15.11000
剪切带（CT）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
80A（Tc）
5V，10V
5.5 毫欧 @ 40A，10V
2.5V @ 250µA
27 nC @ 5 V
±20V
2060 pF @ 25 V
-
110W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
DPAK
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
/ 9

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。