单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
onsemiRohm Semiconductor
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
40 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.5A（Ta）41A（Ta），235A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.3 毫欧 @ 50A，10V470 毫欧 @ 1.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 1mA3.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
17 nC @ 5 V65 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
950 pF @ 25 V4300 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
950mW（Ta）3.8W（Ta），128W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
安装类型
表面贴装，可润湿侧翼表面贴装型
供应商器件封装
5-DFNW（4.9x5.9）（8-SOFL-WF）TSMT6（SC-95）
封装/外壳
8-PowerTDFN，5 引线SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TSMT6_TSMT6 Pkg
RSQ015P10HZGTR
MOSFET P-CH 100V 1.5A TSMT6
Rohm Semiconductor
23,015
现货
1 : ¥4.52000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.11395
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
1.5A（Ta）
4V，10V
470 毫欧 @ 1.5A，10V
2.5V @ 1mA
17 nC @ 5 V
±20V
950 pF @ 25 V
-
950mW（Ta）
150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TSMT6（SC-95）
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
8-PowerTDFN, 5 Leads
NVMFS5C426NWFAFT1G
MOSFET N-CH 40V 41A/235A 5DFN
onsemi
1,400
现货
1 : ¥32.59000
剪切带（CT）
1,500 : ¥10.97201
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
41A（Ta），235A（Tc）
10V
1.3 毫欧 @ 50A，10V
3.5V @ 250µA
65 nC @ 10 V
±20V
4300 pF @ 25 V
-
3.8W（Ta），128W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装，可润湿侧翼
5-DFNW（4.9x5.9）（8-SOFL-WF）
8-PowerTDFN，5 引线
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。