单 FET，MOSFET

结果 : 2
系列
-U-MOSVIII-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
20 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
100mA（Ta）17A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
11.4 毫欧 @ 8.5A，10V3 欧姆 @ 10mA，4V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.1V @ 100µA2.5V @ 200µA
Vgs（最大值）
±10V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
9.3 pF @ 3 V2000 pF @ 30 V
功率耗散（最大值）
150mW（Ta）1.6W（Ta），34W（Tc）
工作温度
150°C150°C（TJ）
供应商器件封装
8-SOP Advance（5x5）VESM
封装/外壳
8-PowerVDFNSOT-723
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
33,096
现货
1 : ¥9.52000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.40654
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
17A（Tc）
4.5V，10V
11.4 毫欧 @ 8.5A，10V
2.5V @ 200µA
23 nC @ 10 V
±20V
2000 pF @ 30 V
-
1.6W（Ta），34W（Tc）
150°C（TJ）
表面贴装型
8-SOP Advance（5x5）
8-PowerVDFN
PB-F VESM S-MOS (LF) TRANSISTOR
SSM3K16FV,L3F
PB-F VESM S-MOS (LF) TRANSISTOR
Toshiba Semiconductor and Storage
6,969
现货
1 : ¥1.56000
剪切带（CT）
8,000 : ¥0.26403
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
100mA（Ta）
1.5V，4V
3 欧姆 @ 10mA，4V
1.1V @ 100µA
-
±10V
9.3 pF @ 3 V
-
150mW（Ta）
150°C
表面贴装型
VESM
SOT-723
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。