单 FET，MOSFET

结果 : 6
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.1A（Tc）3.9A（Ta）5.9A（Tc）12A（Tc）36A（Tc）60A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V2.5V，4.5V4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
6.25 毫欧 @ 10A，10V14.5 毫欧 @ 7.7A，10V25 毫欧 @ 10A，10V31 毫欧 @ 5A，4.5V32 毫欧 @ 4A，4.5V112 毫欧 @ 2.8A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
850mV @ 250µA1V @ 250µA2.5V @ 250µA3V @ 250µA4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
10 nC @ 4.5 V12 nC @ 4.5 V30 nC @ 10 V36 nC @ 8 V75 nC @ 10 V100 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
405 pF @ 10 V1350 pF @ 15 V2830 pF @ 30 V3400 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
750mW（Ta）860mW（Ta），1.6W（Tc）1W（Ta），1.7W（Tc）3.1W（Ta），31W（Tc）6.25W（Ta），104W（Tc）68W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
PowerPAK® CHIPFET™ 单PowerPAK® SO-8SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳
PowerPAK® CHIPFET™ 单PowerPAK® SO-8TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
6结果
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制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
SI2301CDS-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
Vishay Siliconix
41,390
现货
1 : ¥3.04000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.82533
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
3.1A（Tc）
2.5V，4.5V
112 毫欧 @ 2.8A，4.5V
1V @ 250µA
10 nC @ 4.5 V
±8V
405 pF @ 10 V
-
860mW（Ta），1.6W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
SI2365EDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 5.9A TO236
Vishay Siliconix
23,534
现货
1 : ¥3.20000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.70205
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
5.9A（Tc）
1.8V，4.5V
32 毫欧 @ 4A，4.5V
1V @ 250µA
36 nC @ 8 V
±8V
-
-
1W（Ta），1.7W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
SI2312BDS-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3
Vishay Siliconix
33,616
现货
1 : ¥4.52000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.52026
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
3.9A（Ta）
1.8V，4.5V
31 毫欧 @ 5A，4.5V
850mV @ 250µA
12 nC @ 4.5 V
±8V
-
-
750mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
PowerPak SO-8L
SQJ457EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 60V 36A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
32,766
现货
1 : ¥7.80000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.21217
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
36A（Tc）
4.5V，10V
25 毫欧 @ 10A，10V
2.5V @ 250µA
100 nC @ 10 V
±20V
3400 pF @ 25 V
-
68W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPAK SO-8
SI7164DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
4,571
现货
1 : ¥22.99000
剪切带（CT）
3,000 : ¥11.20036
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
60A（Tc）
10V
6.25 毫欧 @ 10A，10V
4.5V @ 250µA
75 nC @ 10 V
±20V
2830 pF @ 30 V
-
6.25W（Ta），104W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
Pkg 5940
SI5418DU-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK
Vishay Siliconix
1,152
现货
1 : ¥10.43000
剪切带（CT）
3,000 : ¥4.30101
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
12A（Tc）
4.5V，10V
14.5 毫欧 @ 7.7A，10V
3V @ 250µA
30 nC @ 10 V
±20V
1350 pF @ 15 V
-
3.1W（Ta），31W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® CHIPFET™ 单
PowerPAK® CHIPFET™ 单
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。