单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Infineon TechnologiesVishay Siliconix
系列
OptiMOS™TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
40 V150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
9A（Tc）174A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V8V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.4 毫欧 @ 50A，10V14.4 毫欧 @ 5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.2V @ 250µA4.6V @ 221µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
17.5 nC @ 10 V84 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
880 pF @ 25 V6500 pF @ 75 V
功率耗散（最大值）
13.6W（Tc）300W（Tc）
安装类型
表面贴装，可润湿侧翼表面贴装型
供应商器件封装
PG-HSOF-8PowerPAK®SC-70W-6
封装/外壳
6-PowerVDFN8-PowerSFN
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PowerPAK SC-701W-6L Single
SQA440CEJW-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Vishay Siliconix
8,760
现货
1 : ¥4.52000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.52147
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
9A（Tc）
4.5V，10V
14.4 毫欧 @ 5A，10V
2.2V @ 250µA
17.5 nC @ 10 V
±20V
880 pF @ 25 V
-
13.6W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装，可润湿侧翼
PowerPAK®SC-70W-6
6-PowerVDFN
1,960
现货
1 : ¥50.49000
剪切带（CT）
2,000 : ¥26.81684
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
174A（Tc）
8V，10V
4.4 毫欧 @ 50A，10V
4.6V @ 221µA
84 nC @ 10 V
±20V
6500 pF @ 75 V
-
300W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-HSOF-8
8-PowerSFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。