单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Diodes IncorporatedLittelfuse Inc.Microchip Technology
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
60 V90 V100 V350 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
5mA（Ta）200mA（Tj）230mA（Tj）2.3A（Ta）-
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
0V0.35V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
220 毫欧 @ 1.6A，10V1 欧姆 @ 300mA，0V6 欧姆 @ 200mA，0V10 欧姆 @ 150mA，0V14 欧姆 @ 50mA，350mV
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250µA-
Vgs（最大值）
±15V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
150 pF @ 25 V300 pF @ 0 V360 pF @ 25 V401 pF @ 25 V
FET 功能
-耗尽模式
功率耗散（最大值）
490mW（Ta）1.1W（Ta）1.6W（Ta）1.8W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 125°C（TJ）-55°C ~ 150°C（TJ）-40°C ~ 110°C（TA）
供应商器件封装
SOT-223-3SOT-23-5SOT-89TO-243AA（SOT-89）
封装/外壳
SC-74A，SOT-753TO-243AATO-261-4，TO-261AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-223-3
DMN10H220LE-13
MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT223
Diodes Incorporated
6,511
现货
92,500
工厂
1 : ¥4.76000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.80573
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
2.3A（Ta）
4.5V，10V
220 毫欧 @ 1.6A，10V
2.5V @ 250µA
8.3 nC @ 10 V
±20V
401 pF @ 25 V
-
1.8W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-223-3
TO-261-4，TO-261AA
C04-029 MB
DN3535N8-G
MOSFET N-CH 350V 230MA TO243AA
Microchip Technology
6,410
现货
1 : ¥7.39000
剪切带（CT）
2,000 : ¥5.66481
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
350 V
230mA（Tj）
0V
10 欧姆 @ 150mA，0V
-
-
±20V
360 pF @ 25 V
耗尽模式
1.6W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-243AA（SOT-89）
TO-243AA
MIC5203-3.8YM5-TR
DN1509K1-G
MOSFET N-CH 90V 200MA SOT23-5
Microchip Technology
2,541
现货
1 : ¥6.24000
剪切带（CT）
3,000 : ¥4.59752
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
90 V
200mA（Tj）
0V
6 欧姆 @ 200mA，0V
-
-
±20V
150 pF @ 25 V
耗尽模式
490mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-5
SC-74A，SOT-753
CPC3708CTR
CPC3708CTR
MOSFET N-CH 350V 5MA SOT89
Littelfuse Inc.
3,986
现货
4,000
工厂
1 : ¥7.55000
剪切带（CT）
1,000 : ¥3.23450
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
350 V
5mA（Ta）
0.35V
14 欧姆 @ 50mA，350mV
-
-
±20V
300 pF @ 0 V
耗尽模式
1.1W（Ta）
-40°C ~ 110°C（TA）
表面贴装型
SOT-89
TO-243AA
CPC3708CTR
CPC3701CTR
MOSFET N-CH 60V SOT89
Littelfuse Inc.
0
现货
查看交期
1 : ¥7.31000
剪切带（CT）
1,000 : ¥3.11513
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
-
0V
1 欧姆 @ 300mA，0V
-
-
±15V
-
耗尽模式
1.1W（Ta）
-55°C ~ 125°C（TJ）
表面贴装型
SOT-89
TO-243AA
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。