单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Littelfuse Inc.Microchip Technology
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
350 V500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
5mA（Ta）13mA（Tj）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
0V0.35V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
14 欧姆 @ 50mA，350mV1000 欧姆 @ 500µA，0V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
10 pF @ 25 V300 pF @ 0 V
功率耗散（最大值）
360mW（Ta）2.5W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-40°C ~ 85°C（TA）
供应商器件封装
SOT-223SOT-23-3
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-261-4，TO-261AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
LND150K1-G
MOSFET N-CH 500V 13MA SOT23-3
Microchip Technology
37,134
现货
1 : ¥4.10000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.03763
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
500 V
13mA（Tj）
0V
1000 欧姆 @ 500µA，0V
-
±20V
10 pF @ 25 V
耗尽模式
360mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT223-3L
CPC5602CTR
MOSFET N-CH 350V 5MA SOT-223
Littelfuse Inc.
132,432
现货
1 : ¥7.55000
剪切带（CT）
1,000 : ¥3.23450
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
350 V
5mA（Ta）
0.35V
14 欧姆 @ 50mA，350mV
-
±20V
300 pF @ 0 V
耗尽模式
2.5W（Ta）
-40°C ~ 85°C（TA）
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4，TO-261AA
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。