单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Littelfuse Inc.STMicroelectronics
系列
HiPerFET™, Ultra X3MDmesh™ II Plus
漏源电压（Vdss）
300 V600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
68A（Tc）150A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
8.3 毫欧 @ 75A，10V40 毫欧 @ 34A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA4.5V @ 4mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
118 nC @ 10 V177 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
5200 pF @ 100 V13100 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
450W（Tc）890W（Tc）
供应商器件封装
TO-247TO-247（IXTH）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-247-3 HiP
STW70N60M2
MOSFET N-CH 600V 68A TO247
STMicroelectronics
812
现货
1 : ¥75.94000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
68A（Tc）
10V
40 毫欧 @ 34A，10V
4V @ 250µA
118 nC @ 10 V
±25V
5200 pF @ 100 V
-
450W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-247
TO-247-3
TO-247_IXFH
IXFH150N30X3
MOSFET N-CH 300V 150A TO247
Littelfuse Inc.
0
现货
查看交期
1 : ¥160.34000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
300 V
150A（Tc）
10V
8.3 毫欧 @ 75A，10V
4.5V @ 4mA
177 nC @ 10 V
±20V
13100 pF @ 25 V
-
890W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-247（IXTH）
TO-247-3
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。