单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Infineon TechnologiesMicrochip Technology
系列
-HEXFET®
包装
管件袋
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
40 V55 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
175mA（Tj）640mA（Tj）17A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
70 毫欧 @ 10A，10V900 毫欧 @ 3.5A，10V6 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 1mA3.5V @ 10mA4V @ 250µA
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
60 pF @ 25 V370 pF @ 25 V450 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
740mW（Ta）740mW（Tc）45W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
TO-220ABTO-92-3
封装/外壳
TO-220-3TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-220AB PKG
IRFZ24NPBF
MOSFET N-CH 55V 17A TO220AB
Infineon Technologies
8,404
现货
1 : ¥5.66000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
55 V
17A（Tc）
10V
70 毫欧 @ 10A，10V
4V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
370 pF @ 25 V
-
45W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
TP2104N3-G
MOSFET P-CH 40V 175MA TO92-3
Microchip Technology
1,623
现货
1 : ¥6.40000
袋
-
袋
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
175mA（Tj）
4.5V，10V
6 欧姆 @ 500mA，10V
2V @ 1mA
-
±20V
60 pF @ 25 V
-
740mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-92-3
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
VP2206N3-G
MOSFET P-CH 60V 640MA TO92-3
Microchip Technology
1,852
现货
1 : ¥21.10000
袋
-
袋
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
640mA（Tj）
5V，10V
900 毫欧 @ 3.5A，10V
3.5V @ 10mA
-
±20V
450 pF @ 25 V
-
740mW（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-92-3
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。