单 FET，MOSFET

结果 : 3
系列
FemtoFET™NexFET™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
12 V20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
500mA（Ta）1.6A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V2.5V，4.5V2.8V，8V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
17.1m옴 @ 1A，4.5V34 毫欧 @ 1A，4.5V1190 毫欧 @ 100mA，8V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.1V @ 250µA1.3V @ 250µA1.35V @ 2.5µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.281 nC @ 10 V2.9 nC @ 4.5 V7.8 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±8V±10V10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
10.5 pF @ 10 V462 pF @ 6 V862 pF @ 6 V
功率耗散（最大值）
500mW（Ta）1.2W（Ta）1.8W（Ta）
供应商器件封装
3-PICOSTAR4-DSBGA（1x1）
封装/外壳
3-XFDFN4-UFBGA，DSBGA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
CSDxxxxxF3x
CSD15380F3
MOSFET N-CH 20V 500MA 3PICOSTAR
Texas Instruments
37,745
现货
1 : ¥2.96000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.52672
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
500mA（Ta）
2.8V，8V
1190 毫欧 @ 100mA，8V
1.35V @ 2.5µA
0.281 nC @ 10 V
10V
10.5 pF @ 10 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
3-PICOSTAR
3-XFDFN
4-DSBGA-YZB
CSD13302W
MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA
Texas Instruments
5,156
现货
1 : ¥3.37000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.90835
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
12 V
1.6A（Ta）
2.5V，4.5V
17.1m옴 @ 1A，4.5V
1.3V @ 250µA
7.8 nC @ 4.5 V
±10V
862 pF @ 6 V
-
1.8W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
4-DSBGA（1x1）
4-UFBGA，DSBGA
4-DSBGA-YZB
CSD13201W10
MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA
Texas Instruments
36,263
现货
1 : ¥3.94000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.06174
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
12 V
1.6A（Ta）
1.8V，4.5V
34 毫欧 @ 1A，4.5V
1.1V @ 250µA
2.9 nC @ 4.5 V
±8V
462 pF @ 6 V
-
1.2W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
4-DSBGA（1x1）
4-UFBGA，DSBGA
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。