单 FET，MOSFET

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制造商零件编号	现有数量	价格	系列	包装	产品状态	FET 类型	技术	漏源电压（Vdss）	25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	Vgs（最大值）	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	FET 功能	功率耗散（最大值）	工作温度	安装类型	供应商器件封装	封装/外壳

IXTT140P10T MOSFET P-CH 100V 140A TO268 Littelfuse Inc.	351 现货	1 : ¥163.38000 管件	TrenchP™	管件	在售	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	140A（Tc）	10V	12 毫欧 @ 70A，10V	4V @ 250µA	400 nC @ 10 V	±15V	31400 pF @ 25 V	-	568W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	表面贴装型	TO-268AA	TO-268-3，D3PAK（2 引线 + 凸片），TO-268AA
IRFL9014TRPBF-BE3 MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223 Vishay Siliconix	3,405 现货	1 : ¥7.39000 剪切带（CT） 2,500 : ¥3.05145 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	1.8A（Tc）	10V	500 毫欧 @ 1.1A，10V	4V @ 250µA	12 nC @ 10 V	±20V	270 pF @ 25 V	-	2W（Ta），3.1W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	表面贴装型	SOT-223	TO-261-4，TO-261AA