单 FET，MOSFET

结果 : 7
制造商
GeneSiC SemiconductorInfineon TechnologiesonsemiVishay Siliconix
系列
-CoolMOS™ CFD7DUAL COOL®Dual Cool™G3R™OptiMOS™OptiMOS™ 6
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
技术
MOSFET（金属氧化物）SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
40 V100 V150 V600 V1700 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
16A（Tc）21A（Ta）， 179A（Tc）21A（Tc）22A（Ta），174A（Tc）23A（Ta），165A（Tc）25A（Tc）381A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V8V，10V10V15V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
0.7 毫欧 @ 50A，10V3 毫欧 @ 50A，10V4.45 毫欧 @ 95A，10V135 毫欧 @ 13A，10V145 毫欧 @ 6.8A，10V208 毫欧 @ 12A，15V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.3V @ 250µA2.7V @ 5mA3.3V @ 109µA4V @ 250µA4.5V @ 340µA4.5V @ 521µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
31 nC @ 10 V51 nC @ 15 V69 nC @ 10 V79 nC @ 10 V94 nC @ 4.5 V116 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±15V±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1272 pF @ 1000 V1330 pF @ 400 V2815 pF @ 100 V5200 pF @ 50 V6514 pF @ 75 V8400 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）
3W（Ta），208W（Tc）5W（Ta），292W（Tc）5W（Ta），293W（Tc）83W（Tc）175W（Tc）188W202W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装，可润湿侧翼表面贴装型通孔
供应商器件封装
8-TDFNW（8.3x8.4）PG-TDSON-8 FLPG-TDSON-8-6PowerPAK® 8 x 8TO-247-3TO-252AA (DPAK)
封装/外壳
8-PowerTDFNTO-247-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
7结果
显示
/ 7
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-Power TDFN
BSC007N04LS6ATMA1
MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8-6
Infineon Technologies
6,374
现货
1 : ¥24.38000
剪切带（CT）
5,000 : ¥11.40444
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
381A（Tc）
4.5V，10V
0.7 毫欧 @ 50A，10V
2.3V @ 250µA
94 nC @ 4.5 V
±20V
8400 pF @ 20 V
-
188W
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8-6
8-PowerTDFN
TO-247-3
G3R160MT17D
SIC MOSFET N-CH 21A TO247-3
GeneSiC Semiconductor
606
现货
1 : ¥100.49000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1700 V
21A（Tc）
15V
208 毫欧 @ 12A，15V
2.7V @ 5mA
51 nC @ 15 V
±15V
1272 pF @ 1000 V
-
175W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-247-3
TO-247-3
6,137
现货
1 : ¥22.66000
剪切带（CT）
2,500 : ¥11.02495
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
16A（Tc）
10V
145 毫欧 @ 6.8A，10V
4.5V @ 340µA
31 nC @ 10 V
±20V
1330 pF @ 400 V
-
83W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
6,698
现货
1 : ¥26.03000
剪切带（CT）
2,500 : ¥12.66044
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
21A（Ta）， 179A（Tc）
8V，10V
3 毫欧 @ 50A，10V
3.3V @ 109µA
69 nC @ 10 V
±20V
5200 pF @ 50 V
-
3W（Ta），208W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8 FL
8-PowerTDFN
PowerPAK 8 x 8
SIHH26N60E-T1-GE3
MOSFET N-CH 600V 25A PPAK 8 X 8
Vishay Siliconix
5,781
现货
1 : ¥44.33000
剪切带（CT）
3,000 : ¥21.56426
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
25A（Tc）
10V
135 毫欧 @ 13A，10V
4V @ 250µA
116 nC @ 10 V
±30V
2815 pF @ 100 V
-
202W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® 8 x 8
8-PowerTDFN
8-TDFNW
NTMTSC4D3N15MC
SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 15
onsemi
423
现货
1 : ¥51.06000
剪切带（CT）
3,000 : ¥24.84916
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
22A（Ta），174A（Tc）
8V，10V
4.45 毫欧 @ 95A，10V
4.5V @ 521µA
79 nC @ 10 V
±20V
6514 pF @ 75 V
-
5W（Ta），293W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装，可润湿侧翼
8-TDFNW（8.3x8.4）
8-PowerTDFN
8-TDFNW
NVMTSC4D3N15MC
PTNG 150V IN CEBU DFNW 8X8 DUAL
onsemi
2,905
现货
1 : ¥49.42000
剪切带（CT）
3,000 : ¥24.03943
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
23A（Ta），165A（Tc）
10V
4.45 毫欧 @ 95A，10V
4.5V @ 521µA
79 nC @ 10 V
±20V
6514 pF @ 75 V
-
5W（Ta），292W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装，可润湿侧翼
8-TDFNW（8.3x8.4）
8-PowerTDFN
显示
/ 7

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。