单 FET,MOSFET

结果 : 3
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedPanjit International Inc.
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
FET 类型
N 通道P 通道
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.1A(Ta)4.3A(Ta)47A(Ta),85A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.5V,4.5V1.8V,4.5V2.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
2.1 毫欧 @ 20A,10V52 毫欧 @ 4.3A,4.5V56 毫欧 @ 2A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA1.3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
5.4 nC @ 4.5 V24 nC @ 10 V330 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±8V±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
400 pF @ 10 V907 pF @ 10 V10290 pF @ 10 V
功率耗散(最大值)
700mW(Ta)1.25W(Ta)7.3W(Ta),156W(Tc)
供应商器件封装
8-DFN(5x6)SOT-23SOT-323
封装/外壳
8-PowerSMD,扁平引线SC-70,SOT-323TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果

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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-DFN
AON6411
MOSFET P-CH 20V 47A/85A 8DFN
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
97,740
现货
1 : ¥9.36000
剪切带(CT)
3,000 : ¥4.98746
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
47A(Ta),85A(Tc)
2.5V,10V
2.1 毫欧 @ 20A,10V
1.3V @ 250µA
330 nC @ 10 V
±12V
10290 pF @ 10 V
-
7.3W(Ta),156W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-DFN(5x6)
8-PowerSMD,扁平引线
SOT-323
DMN2065UWQ-7
MOSFET N-CH 20V 3.1A SOT323
Diodes Incorporated
60,503
现货
339,000
工厂
1 : ¥3.45000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.75610
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
3.1A(Ta)
1.5V,4.5V
56 毫欧 @ 2A,4.5V
1V @ 250µA
5.4 nC @ 4.5 V
±12V
400 pF @ 10 V
-
700mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-323
SC-70,SOT-323
23,980
现货
1 : ¥4.35000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.67115
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
4.3A(Ta)
1.8V,4.5V
52 毫欧 @ 4.3A,4.5V
1V @ 250µA
24 nC @ 10 V
±8V
907 pF @ 10 V
-
1.25W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。