单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Infineon TechnologiesWolfspeed, Inc.
系列
C3M™HEXFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
技术
MOSFET（金属氧化物）SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
20 V1000 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4.2A（Ta）22A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V15V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
45 毫欧 @ 4.2A，4.5V155 毫欧 @ 15A，15V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.2V @ 250µA3.5V @ 3mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
12 nC @ 5 V21.5 nC @ 15 V
Vgs（最大值）
±12V+15V，-4V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
350 pF @ 600 V740 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
1.25W（Ta）83W（Tc）
供应商器件封装
D2PAK-7Micro3™/SOT-23
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
IRLML2502TRPBF
MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23
Infineon Technologies
84,157
现货
1 : ¥5.25000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.20583
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
4.2A（Ta）
2.5V，4.5V
45 毫欧 @ 4.2A，4.5V
1.2V @ 250µA
12 nC @ 5 V
±12V
740 pF @ 15 V
-
1.25W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
C3M0065090J
C3M0120100J
SICFET N-CH 1000V 22A D2PAK-7
Wolfspeed, Inc.
215
现货
1 : ¥137.02000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1000 V
22A（Tc）
15V
155 毫欧 @ 15A，15V
3.5V @ 3mA
21.5 nC @ 15 V
+15V，-4V
350 pF @ 600 V
-
83W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
D2PAK-7
TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。