单 FET，MOSFET

结果 : 11
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Infineon TechnologiesonsemiTexas InstrumentsVishay Siliconix
系列
-Dual Cool™, PowerTrench®HEXFET®NexFET™PowerTrench®TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
12 V30 V40 V50 V60 V100 V150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA（Ta）270mA（Ta）500mA（Ta）4.3A（Ta）7.9A（Ta），50A（Tc）9.6A（Ta），35A（Tc）12A（Tc）14A（Ta），24A（Tc）29A（Ta），108A（Tc）51A（Tc）100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V2.5V，4.5V2.5V，4V4.5V，10V5V6V，10V8V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.3 毫欧 @ 29A，10V4.3 毫欧 @ 22A，10V12.8 毫欧 @ 16A，10V16.5 毫欧 @ 20A，10V18 毫欧 @ 9.6A，10V19 毫欧 @ 11A，4.5V22 毫欧 @ 7.9A，10V50 毫欧 @ 4.3A，4.5V1.5 欧姆 @ 10mA，4V3.5 欧姆 @ 200mA，5V5 欧姆 @ 200mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
950mV @ 250µA1.5V @ 100µA1.5V @ 1mA1.5V @ 250µA2.3V @ 250µA3V @ 1mA4V @ 250µA4V @ 90µA4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1.3 nC @ 5 V14 nC @ 6 V15 nC @ 5 V16 nC @ 4.5 V34 nC @ 10 V36 nC @ 10 V46 nC @ 10 V59 nC @ 10 V107 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±12V±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
33 pF @ 5 V50 pF @ 25 V60 pF @ 10 V830 pF @ 10 V1180 pF @ 15 V1265 pF @ 15 V1515 pF @ 50 V2640 pF @ 20 V2715 pF @ 75 V4085 pF @ 50 V7680 pF @ 30 V
功率耗散（最大值）
225mW（Ta）330mW（Ta）1.3W（Ta）2.5W（Ta），104W（Tc）3.1W（Ta），120W（Tc）3.2W（Ta），125W（Tc）5W（Ta），24.5W（Tc）19.2W（Tc）63W（Tc）
供应商器件封装
8-DFN（5x6）8-PQFN（5x6）8-VSONP（5x6）Micro3™/SOT-23PowerPAK® SC-70-6SC-70-3（SOT323）SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳
8-PowerSMD，扁平引线8-PowerTDFNPowerPAK® SC-70-6SC-70，SOT-323TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
11结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT 23-3
BSS138LT1G
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
onsemi
371,645
现货
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.52959
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
200mA（Ta）
5V
3.5 欧姆 @ 200mA，5V
1.5V @ 1mA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
225mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML6401TRPBF
MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT23
Infineon Technologies
111,031
现货
1 : ¥3.28000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.88633
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
12 V
4.3A（Ta）
1.8V，4.5V
50 毫欧 @ 4.3A，4.5V
950mV @ 250µA
15 nC @ 5 V
±8V
830 pF @ 10 V
-
1.3W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SC-70-3
NTS4001NT1G
MOSFET N-CH 30V 270MA SC70-3
onsemi
48,936
现货
1 : ¥3.86000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.69154
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
270mA（Ta）
2.5V，4V
1.5 欧姆 @ 10mA，4V
1.5V @ 100µA
1.3 nC @ 5 V
±20V
33 pF @ 5 V
-
330mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SC-70-3（SOT323）
SC-70，SOT-323
8-PQFN
FDMS86183
MOSFET N-CH 100V 51A 8PQFN
onsemi
13,406
现货
21,000
工厂
1 : ¥12.89000
剪切带（CT）
3,000 : ¥5.32192
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
51A（Tc）
6V，10V
12.8 毫欧 @ 16A，10V
4V @ 90µA
14 nC @ 6 V
±20V
1515 pF @ 50 V
-
63W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-PQFN（5x6）
8-PowerTDFN
8-PQFN
FDMS86200
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
onsemi
8,947
现货
1 : ¥20.36000
剪切带（CT）
3,000 : ¥9.17769
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
9.6A（Ta），35A（Tc）
6V，10V
18 毫欧 @ 9.6A，10V
4V @ 250µA
46 nC @ 10 V
±20V
2715 pF @ 75 V
-
2.5W（Ta），104W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-PQFN（5x6）
8-PowerTDFN
8-PQFN
FDMS86163P
MOSFET P-CH 100V 7.9A/50A 8PQFN
onsemi
11,958
现货
1 : ¥24.05000
剪切带（CT）
3,000 : ¥10.84627
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
7.9A（Ta），50A（Tc）
6V，10V
22 毫欧 @ 7.9A，10V
4V @ 250µA
59 nC @ 10 V
±25V
4085 pF @ 50 V
-
2.5W（Ta），104W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-PQFN（5x6）
8-PowerTDFN
8-PQFN TOP
FDMS86500DC
MOSFET N-CH 60V 29A DLCOOL56
onsemi
3,043
现货
1 : ¥28.57000
剪切带（CT）
3,000 : ¥13.91836
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
29A（Ta），108A（Tc）
8V，10V
2.3 毫欧 @ 29A，10V
4.5V @ 250µA
107 nC @ 10 V
±20V
7680 pF @ 30 V
-
3.2W（Ta），125W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-PQFN（5x6）
8-PowerTDFN
SOT 23-3
MMBF170LT1G
MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3
onsemi
67,825
现货
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.51861
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
500mA（Ta）
10V
5 欧姆 @ 200mA，10V
3V @ 1mA
-
±20V
60 pF @ 10 V
-
225mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
8-DFN
AONS21321
MOSFET P-CH 30V 14A/24A 8DFN
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
66,550
现货
1 : ¥4.19000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.41874
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
14A（Ta），24A（Tc）
4.5V，10V
16.5 毫欧 @ 20A，10V
2.3V @ 250µA
34 nC @ 10 V
±25V
1180 pF @ 15 V
-
5W（Ta），24.5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-DFN（5x6）
8-PowerSMD，扁平引线
PowerPak SC-70-6 Single
SIA400EDJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Vishay Siliconix
150,978
现货
1 : ¥4.93000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.65113
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
12A（Tc）
2.5V，4.5V
19 毫欧 @ 11A，4.5V
1.5V @ 250µA
36 nC @ 10 V
±12V
1265 pF @ 15 V
-
19.2W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SC-70-6
PowerPAK® SC-70-6
8-Power TDFN
CSD18503Q5AT
MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON
Texas Instruments
604
现货
1 : ¥13.46000
剪切带（CT）
250 : ¥8.69648
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
100A（Tc）
4.5V，10V
4.3 毫欧 @ 22A，10V
2.3V @ 250µA
16 nC @ 4.5 V
±20V
2640 pF @ 20 V
-
3.1W（Ta），120W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-VSONP（5x6）
8-PowerTDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。