单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Linear Integrated Systems, Inc.onsemi
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
40 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
50mA3A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
5V20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
120 毫欧 @ 1.5A，5V250 欧姆 @ 100µA，20V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250µA5V @ 10µA
Vgs（最大值）
-6.5V±15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
3.5 pF @ 15 V440 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
350mW1.3W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）-
供应商器件封装
SOT-143-4SOT-223（TO-261）
封装/外壳
TO-253-4，TO-253AATO-261-4，TO-261AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-223 (TO-261)
NTF3055L108T1G
MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
onsemi
18,296
现货
1 : ¥7.06000
剪切带（CT）
1,000 : ¥3.00101
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
3A（Ta）
5V
120 毫欧 @ 1.5A，5V
2V @ 250µA
15 nC @ 5 V
±15V
440 pF @ 25 V
-
1.3W（Ta）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
SOT-223（TO-261）
TO-261-4，TO-261AA
8,346
现货
1 : ¥41.54000
剪切带（CT）
3,000 : ¥20.84335
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
50mA
20V
250 欧姆 @ 100µA，20V
5V @ 10µA
-
-6.5V
3.5 pF @ 15 V
-
350mW
-
表面贴装型
SOT-143-4
TO-253-4，TO-253AA
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。