单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedToshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-TrenchFET®U-MOSVI
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.4A（Tc）2.6A（Ta）4.5A（Ta）6A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，10V1.8V，4.5V2.5V，10V2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
40 毫欧 @ 4.5A，4.5V42 毫欧 @ 5A，10V67 毫欧 @ 2.5A，4.5V132 毫欧 @ 1.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
950mV @ 250µA1.2V @ 1mA1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
4.1 nC @ 10 V4.6 nC @ 4.5 V8.2 nC @ 4.5 V17 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
+6V， -12V±8V±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
105 pF @ 15 V447 pF @ 10 V560 pF @ 15 V930 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
400mW（Ta），500mW（Tc）500mW（Ta）1W（Ta）1.3W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C
供应商器件封装
SC-70-3SOT-23-3SOT-23FSOT-323
封装/外壳
3-SMD，SOT-23-3 变式SC-70，SOT-323SOT-23-3 扁平引线
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
Pkg 5549
SI1308EDL-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT323
Vishay Siliconix
35,513
现货
1 : ¥3.61000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.97327
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
1.4A（Tc）
2.5V，10V
132 毫欧 @ 1.4A，10V
1.5V @ 250µA
4.1 nC @ 10 V
±12V
105 pF @ 15 V
-
400mW（Ta），500mW（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SC-70-3
SC-70，SOT-323
SOT-323
DMN3067LW-7
MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT-323
Diodes Incorporated
17,297
现货
1,440,000
工厂
1 : ¥3.20000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.71001
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
2.6A（Ta）
2.5V，4.5V
67 毫欧 @ 2.5A，4.5V
1.5V @ 250µA
4.6 nC @ 4.5 V
±12V
447 pF @ 10 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
SOT-323
DMN3067LW-13
MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT-323
Diodes Incorporated
5,777
现货
40,000
工厂
1 : ¥3.20000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.61481
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
2.6A（Ta）
2.5V，4.5V
67 毫欧 @ 2.5A，4.5V
1.5V @ 250µA
4.6 nC @ 4.5 V
±12V
447 pF @ 10 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
16,096
现货
1 : ¥3.53000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.94435
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
6A（Ta）
1.8V，10V
42 毫欧 @ 5A，10V
1.2V @ 1mA
8.2 nC @ 4.5 V
+6V， -12V
560 pF @ 15 V
-
1W（Ta）
150°C
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
SOT-23-3
AOSS21115C
MOSFET P-CH 20V 4.5A SOT23-3
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
17,753
现货
1 : ¥3.86000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.86085
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
4.5A（Ta）
1.8V，4.5V
40 毫欧 @ 4.5A，4.5V
950mV @ 250µA
17 nC @ 4.5 V
±8V
930 pF @ 10 V
-
1.3W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
3-SMD，SOT-23-3 变式
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。