单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
onsemiRohm Semiconductor
系列
-PowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
10.8A（Ta）20A（Ta），78A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
5.2 毫欧 @ 20A，10V12 毫欧 @ 10.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 1mA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
41 nC @ 10 V130 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V+30V，-20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1686 pF @ 20 V6890 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta）3W（Ta），40W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
8-HSOP8-SOIC
封装/外壳
8-PowerTDFN8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
显示
/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
RS1G201ATTB1
RS1G201ATTB1
MOSFET P-CH 40V 20A/78A 8HSOP
Rohm Semiconductor
6,420
现货
1 : ¥22.58000
剪切带（CT）
2,500 : ¥10.17904
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
20A（Ta），78A（Tc）
-
5.2 毫欧 @ 20A，10V
2.5V @ 1mA
130 nC @ 10 V
±20V
6890 pF @ 20 V
-
3W（Ta），40W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-HSOP
8-PowerTDFN
8-SOIC
FDS4480
MOSFET N-CH 40V 10.8A 8SOIC
onsemi
1,150
现货
2,500
工厂
1 : ¥9.11000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.77809
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
10.8A（Ta）
10V
12 毫欧 @ 10.8A，10V
5V @ 250µA
41 nC @ 10 V
+30V，-20V
1686 pF @ 20 V
-
2.5W（Ta）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
显示
/ 2

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。