单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Infineon Technologiesonsemi
系列
-HEXFET®
包装
散装管件
漏源电压（Vdss）
55 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA（Ta）200mA（Tc）47A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4V，10V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
22 毫欧 @ 25A，10V5 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250µA3V @ 1mA
Vgs（最大值）
±16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50 pF @ 25 V1700 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
400mW（Ta）3.8W（Ta），110W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
TO-220ABTO-92-3
封装/外壳
TO-220-3TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
2N7000
MOSFET TO92 N 60V 0.2A 5OHM 150C
onsemi
43,153
现货
40,000
工厂
1 : ¥4.02000
散装
-
散装
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
200mA（Ta）
4.5V，10V
5 欧姆 @ 500mA，10V
3V @ 1mA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
400mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-92-3
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
TO-220AB PKG
IRLZ44NPBF
MOSFET N-CH 55V 47A TO220AB
Infineon Technologies
11,984
现货
1 : ¥10.51000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
55 V
47A（Tc）
4V，10V
22 毫欧 @ 25A，10V
2V @ 250µA
48 nC @ 5 V
±16V
1700 pF @ 25 V
-
3.8W（Ta），110W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
2N7000BU
MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
onsemi
27,415
现货
10,000
工厂
1 : ¥2.96000
散装
-
散装
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
200mA（Tc）
4.5V，10V
5 欧姆 @ 500mA，10V
3V @ 1mA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
400mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-92-3
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。