单 FET，MOSFET

结果 : 17
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesonsemiTexas InstrumentsUMW
系列
-NexFET™OptiMOS™PowerTrench®UMW
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
12 V20 V25 V30 V40 V60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
220mA（Ta）1.3A（Ta）1.6A（Ta）2A（Ta）2.4A（Ta）2.6A（Ta）3A（Ta）3.2A（Ta）10.7A（Ta）12.8A（Ta）23A（Ta），100A（Tc）100A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.2V，4.5V1.8V，4.5V2.5V，4.5V2.7V，4.5V4.5V，10V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.2 毫欧 @ 28A，10V2.8 毫欧 @ 50A，10V4.9 毫欧 @ 17A，10V10 毫欧 @ 9.7A，4.5V10.5 毫欧 @ 12.8A，10V40 毫欧 @ 2.6A，4.5V50 毫欧 @ 4.2A，4.5V52 毫欧 @ 2.4A，4.5V70 毫欧 @ 2A，4.5V80 毫欧 @ 2A，10V80 毫欧 @ 3.6A，4.5V110 毫欧 @ 2.5A，4.5V115 毫欧 @ 1.6A，4.5V160 毫欧 @ 1.5A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
800mV @ 250µA1V @ 250µA1.06V @ 250µA1.2V @ 250µA1.5V @ 250µA2.3V @ 250µA2.5V @ 250µA2.8V @ 50µA3V @ 250µA3.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.7 nC @ 4.5 V1.9 nC @ 4.5 V2.3 nC @ 10 V5 nC @ 4.5 V6 nC @ 4.5 V6.2 nC @ 4.5 V8 nC @ 4.5 V9 nC @ 10 V10 nC @ 4.5 V17 nC @ 4.5 V20 nC @ 4.5 V37 nC @ 10 V49 nC @ 10 V50.4 nC @ 8 V
Vgs（最大值）
±8V±12V±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
9.5 pF @ 10 V150 pF @ 15 V162 pF @ 10 V188 pF @ 10 V200 pF @ 10 V298 pF @ 15 V436 pF @ 10 V451 pF @ 10 V600 pF @ 10 V779 pF @ 10 V1138 pF @ 6 V1312 pF @ 10 V2588 pF @ 10 V2600 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）
350mW（Ta）500mW（Ta）600mW（Ta）1.1W（Ta）1.25W（Tj）1.4W（Ta）1.73W（Ta）2.5W（Ta）2.5W（Ta），83W（Tc）3.1W（Ta），195W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
8-SOIC8-VSON-CLIP（5x6）PG-TDSON-8-7SOT-23SOT-23-3SOT-23-3（TO-236）TSOT-26
封装/外壳
3-SMD，SOT-23-3 变式8-PowerTDFN8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）SOT-23-6 细型，TSOT-23-6TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
17结果
显示
/ 17
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
FDV301N
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
onsemi
286,402
现货
1 : ¥2.71000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.45080
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
25 V
220mA（Ta）
2.7V，4.5V
4 欧姆 @ 400mA，4.5V
1.06V @ 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±8V
9.5 pF @ 10 V
-
350mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
FDN338P
MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
onsemi
67,245
现货
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.15211
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
1.6A（Ta）
2.5V，4.5V
115 毫欧 @ 1.6A，4.5V
1.5V @ 250µA
6.2 nC @ 4.5 V
±8V
451 pF @ 10 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
FDN306P
MOSFET P-CH 12V 2.6A SUPERSOT3
onsemi
69,005
现货
1 : ¥3.53000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.20104
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
12 V
2.6A（Ta）
1.8V，4.5V
40 毫欧 @ 2.6A，4.5V
1.5V @ 250µA
17 nC @ 4.5 V
±8V
1138 pF @ 6 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
NDS331N
MOSFET N-CH 20V 1.3A SUPERSOT3
onsemi
145,185
现货
1 : ¥3.61000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.20594
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
1.3A（Ta）
2.7V，4.5V
160 毫欧 @ 1.5A，4.5V
1V @ 250µA
5 nC @ 4.5 V
±8V
162 pF @ 10 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
FDN352AP
MOSFET P-CH 30V 1.3A SUPERSOT3
onsemi
83,076
现货
1 : ¥3.61000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.21327
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
1.3A（Ta）
4.5V，10V
180 毫欧 @ 1.3A，10V
2.5V @ 250µA
1.9 nC @ 4.5 V
±25V
150 pF @ 15 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
AO3414
MOSFET N-CH 20V 3A SOT23-3L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
740,555
现货
1 : ¥3.78000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.47349
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
3A（Ta）
1.8V，4.5V
50 毫欧 @ 4.2A，4.5V
1V @ 250µA
6.2 nC @ 4.5 V
±8V
436 pF @ 10 V
-
1.4W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
3-SMD，SOT-23-3 变式
SOT-23-3
FDN340P
MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
onsemi
83,417
现货
6,000
工厂
1 : ¥3.78000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.01350
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
2A（Ta）
2.5V，4.5V
70 毫欧 @ 2A，4.5V
1.5V @ 250µA
10 nC @ 4.5 V
±8V
779 pF @ 10 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
FDN360P
MOSFET P-CH 30V 2A SUPERSOT3
onsemi
74,136
现货
1 : ¥4.19000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.13027
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
2A（Ta）
4.5V，10V
80 毫欧 @ 2A，10V
3V @ 250µA
9 nC @ 10 V
±20V
298 pF @ 15 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
FDN304P
MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3
onsemi
29,483
现货
1 : ¥4.43000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.48113
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
2.4A（Ta）
1.8V，4.5V
52 毫欧 @ 2.4A，4.5V
1.5V @ 250µA
20 nC @ 4.5 V
±8V
1312 pF @ 10 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
8-Power TDFN
BSC028N06NSATMA1
MOSFET N-CH 60V 23A/100A TDSON
Infineon Technologies
2,739
现货
1 : ¥19.95000
剪切带（CT）
5,000 : ¥8.66072
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
23A（Ta），100A（Tc）
6V，10V
2.8 毫欧 @ 50A，10V
2.8V @ 50µA
37 nC @ 10 V
±20V
2700 pF @ 30 V
-
2.5W（Ta），83W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-7
8-PowerTDFN
8-VSON (5x6)
CSD19532Q5B
MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON
Texas Instruments
6,695
现货
1 : ¥20.03000
剪切带（CT）
2,500 : ¥9.04954
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
100A（Ta）
6V，10V
4.9 毫欧 @ 17A，10V
3.2V @ 250µA
62 nC @ 10 V
±20V
4810 pF @ 50 V
-
3.1W（Ta），195W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-VSON-CLIP（5x6）
8-PowerTDFN
CSD18540Q5B
CSD18540Q5B
MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON
Texas Instruments
9,801
现货
1 : ¥25.61000
剪切带（CT）
2,500 : ¥7.69459
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
100A（Ta）
4.5V，10V
2.2 毫欧 @ 28A，10V
2.3V @ 250µA
53 nC @ 10 V
±20V
4230 pF @ 30 V
-
3.1W（Ta），195W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-VSON-CLIP（5x6）
8-PowerTDFN
SOT-23-3
DMN2230UQ-7
MOSFET N-CH 20V 2A SOT23
Diodes Incorporated
106,411
现货
279,000
工厂
1 : ¥2.46000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.74195
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
2A（Ta）
1.8V，4.5V
110 毫欧 @ 2.5A，4.5V
1V @ 250µA
2.3 nC @ 10 V
±12V
188 pF @ 10 V
-
600mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TSOT-26
DMN1019UVT-7
MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26
Diodes Incorporated
7,277
现货
21,000
工厂
1 : ¥3.61000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.96575
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
12 V
10.7A（Ta）
1.2V，4.5V
10 毫欧 @ 9.7A，4.5V
800mV @ 250µA
50.4 nC @ 8 V
±8V
2588 pF @ 10 V
-
1.73W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TSOT-26
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
SOT 23-3
NVR4501NT1G
MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT23-3
onsemi
6,122
现货
1 : ¥3.69000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.23527
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
3.2A（Ta）
2.5V，4.5V
80 毫欧 @ 3.6A，4.5V
1.2V @ 250µA
6 nC @ 4.5 V
±12V
200 pF @ 10 V
-
1.25W（Tj）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
8-SOIC
FDS8447
MOSFET N-CH 40V 12.8A 8SOIC
onsemi
12,452
现货
1 : ¥11.90000
剪切带（CT）
2,500 : ¥4.93823
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
12.8A（Ta）
4.5V，10V
10.5 毫欧 @ 12.8A，10V
3V @ 250µA
49 nC @ 10 V
±20V
2600 pF @ 20 V
-
2.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
FDN340P
FDN340P
SOT-23 MOSFETS ROHS
UMW
977
现货
1 : ¥2.38000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.91260
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
2A（Ta）
1.8V，4.5V
70 毫欧 @ 2A，4.5V
1.5V @ 250µA
8 nC @ 4.5 V
±8V
600 pF @ 10 V
-
1.1W（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
/ 17

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。