单 FET，MOSFET

结果 : 2
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
45 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.5A（Ta）2A（Ta）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
190 毫欧 @ 2A，10V290 毫欧 @ 1.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 1mA3V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
2 nC @ 5 V4.5 nC @ 4.5 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
110 pF @ 10 V500 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
700mW（Ta）800mW（Ta）
工作温度
150°C150°C（TJ）
供应商器件封装
TSMT3TUMT3
封装/外壳
3-SMD，扁平引线SC-96
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TUMT3
RSF015N06FRATL
MOSFET N-CH 60V 1.5A TUMT3
Rohm Semiconductor
6,631
现货
1 : ¥4.52000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.01386
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
1.5A（Ta）
4V，10V
290 毫欧 @ 1.5A，10V
2.5V @ 1mA
2 nC @ 5 V
±20V
110 pF @ 10 V
-
800mW（Ta）
150°C
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TUMT3
3-SMD，扁平引线
TSMT3
RSR020P05HZGTL
MOSFET P-CH 45V 2A TSMT3
Rohm Semiconductor
9,000
现货
1 : ¥5.09000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.94964
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
45 V
2A（Ta）
4V，10V
190 毫欧 @ 2A，10V
3V @ 1mA
4.5 nC @ 4.5 V
±20V
500 pF @ 10 V
-
700mW（Ta）
150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TSMT3
SC-96
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。