Name: SIDR626LDP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIDR626LDP-T1-RE3TR-ND
Price: 23.97 CNY
Availability: OutOfStock

SIDR626LDP-T1-RE3
DigiKey 零件编号	742-SIDR626LDP-T1-RE3TR-ND - 卷带（TR） 742-SIDR626LDP-T1-RE3CT-ND - 剪切带（CT） 742-SIDR626LDP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Vishay Siliconix
制造商产品编号	SIDR626LDP-T1-RE3
描述	MOSFET N-CH 60V 45.6A/2.4A PPAK
原厂标准交货期	18 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 60 V 45.6A（Ta） 6.25W（Ta），125W（Tc） PowerPAK® SO-8DC
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	SIDR626LDP-T1-RE3 型号

产品属性

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	Vishay Siliconix
系列	TrenchFET® Gen IV
包装	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态	在售
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	45.6A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	1.5 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	135 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	5900 pF @ 30 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	6.25W（Ta），125W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
等级	-
资质	-
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	PowerPAK® SO-8DC
封装/外壳	PowerPAK® SO-8
基本产品编号	SIDR626