单 FET，MOSFET

结果 : 2
系列
TrenchFET® Gen IVTrenchFET® Gen V
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
16.9A（Ta），58.1A（Tc）30.7A（Ta），137A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.88 毫欧 @ 20A，10V8 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.5V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
28.5 nC @ 10 V83 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1380 pF @ 40 V4415 pF @ 40 V
功率耗散（最大值）
4.8W（Ta），56.8W（Tc）6.25W（Ta），125W（Tc）
供应商器件封装
PowerPAK® 1212-8SPowerPAK® SO-8DC
封装/外壳
PowerPAK® 1212-8SPowerPAK® SO-8
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PowerPAK 1212-8S
SISS588DN-T1-GE3
N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE
Vishay Siliconix
0
现货
查看交期
1 : ¥10.67000
剪切带（CT）
3,000 : ¥4.43116
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
16.9A（Ta），58.1A（Tc）
7.5V，10V
8 毫欧 @ 10A，10V
4V @ 250µA
28.5 nC @ 10 V
±20V
1380 pF @ 40 V
-
4.8W（Ta），56.8W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8S
PowerPAK® 1212-8S
MOSFET N-CH 80V 30.7A/137A PPAK
SIDR680ADP-T1-RE3
MOSFET N-CH 80V 30.7A/137A PPAK
Vishay Siliconix
0
现货
查看交期
1 : ¥19.70000
剪切带（CT）
3,000 : ¥8.87551
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
30.7A（Ta），137A（Tc）
7.5V，10V
2.88 毫欧 @ 20A，10V
3.5V @ 250µA
83 nC @ 10 V
±20V
4415 pF @ 40 V
-
6.25W（Ta），125W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SO-8DC
PowerPAK® SO-8
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。