单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Infineon Technologiesonsemi
系列
-HEXFET®PowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
30 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
7A（Ta），18A（Tc）17A（Tc）18A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.8 毫欧 @ 18A，10V24 毫欧 @ 6.5A，10V81 毫欧 @ 17A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.2V @ 250µA2.35V @ 50µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
20 nC @ 10 V22 nC @ 10 V26 nC @ 4.5 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
620 pF @ 25 V1290 pF @ 50 V2315 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
2.3W（Ta），41W（Tc）2.5W（Ta）71W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
8-MLP（3.3x3.3）8-SODPAK
封装/外壳
8-PowerWDFN8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
IRF8736TRPBF
MOSFET N-CH 30V 18A 8SO
Infineon Technologies
34,248
现货
1 : ¥5.83000
剪切带（CT）
4,000 : ¥2.22730
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
18A（Ta）
4.5V，10V
4.8 毫欧 @ 18A，10V
2.35V @ 50µA
26 nC @ 4.5 V
±20V
2315 pF @ 15 V
-
2.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-MLP, Power33
FDMC86102LZ
MOSFET N-CH 100V 7A/18A 8MLP
onsemi
5,767
现货
1 : ¥14.29000
剪切带（CT）
3,000 : ¥6.45042
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
7A（Ta），18A（Tc）
4.5V，10V
24 毫欧 @ 6.5A，10V
2.2V @ 250µA
22 nC @ 10 V
±20V
1290 pF @ 50 V
-
2.3W（Ta），41W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-MLP（3.3x3.3）
8-PowerWDFN
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
NTD6416ANT4G
MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
onsemi
12,644
现货
1 : ¥9.85000
剪切带（CT）
2,500 : ¥4.05991
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
17A（Tc）
10V
81 毫欧 @ 17A，10V
4V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
620 pF @ 25 V
-
71W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
DPAK
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。