单 FET,MOSFET

结果 : 17
制造商
Fairchild SemiconductorInfineon TechnologiesPanjit International Inc.QorvoSTMicroelectronicsVishay SiliconixWolfspeed, Inc.
系列
-C3M™CoolMOS™CoolMOS™ CFD7CoolMOS™ P6CoolMOS™ P7CoolMOS™S7EEFFRFET®, SuperFET® IIMDmesh™ DM2StrongIRFET™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供在售
FET 类型
N 通道P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)SiCFET(共源共栅 SiCJFET)SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss)
100 V200 V600 V650 V750 V1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
170mA(Ta)23A(Tc)48A(Tc)50A(Tc)53.5A(Tc)54A(Tc)60A(Tc)63A(Tc)65A(Tc)66A(Tc)100A(Tc)101A(Tc)107A(Tc)182A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V10V12V15V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
6.6 毫欧 @ 82A,10V18 毫欧 @ 58.2A,10V21毫欧 @ 50A,12V22 毫欧 @ 23A,12V24毫欧 @ 42.4A,10V28,8 毫欧 @ 50A,15V29 毫欧 @ 40A,12V39 毫欧 @ 32A,10V40 毫欧 @ 24.9A,10V41 毫欧 @ 24.8A,10V42 毫欧 @ 33A,10V45 毫欧 @ 44A,10V45毫欧 @ 40A,12V52 毫欧 @ 23A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250µA3.5V @ 3mA3,6V @ 17,7mA4V @ 2.03mA4V @ 270µA4.5V @ 1.24mA4.5V @ 1.25mA4.5V @ 1.44mA4.5V @ 1.72mA4.5V @ 2.91mA5V @ 250µA5V @ 5.4mA6V @ 10mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
1.8 nC @ 10 V37.8 nC @ 15 V51 nC @ 15 V100 nC @ 10 V101 nC @ 10 V102 nC @ 10 V108 nC @ 10 V121 nC @ 10 V126 nC @ 10 V150 nC @ 12 V162 nC @ 15 V164 nC @ 10 V190 nC @ 10 V203 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
+15V,-4V±20V±25V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
45 pF @ 25 V1400 pF @ 400 V1500 pF @ 100 V3380 pF @ 100 V4351 pF @ 400 V4369 pF @ 100 V4750 pF @ 100 V4818 pF @ 1000 V4975 pF @ 400 V5508 pF @ 100 V5639 pF @ 300 V6800 pF @ 100 V7109 pF @ 100 V7144 pF @ 400 V
功率耗散(最大值)
500mW(Ta)227W(Tc)278W(Tc)291W(Tc)306W(Tc)357W(Tc)390W(Tc)391W(Tc)416W(Tc)429W(Tc)431W(Tc)446W(Tc)469W(Tc)481W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C-55°C ~ 175°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
PG-TO220-3-1PG-TO247-3PG-TO247-3-41PG-TO263-3-2SOT-23TO-247-3TO-247-4LTO-247AC
封装/外壳
TO-220-3TO-236-3,SC-59,SOT-23-3TO-247-3TO-247-4TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
17结果

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/ 17
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB60R040CFD7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 50A TO263-3
Infineon Technologies
3,843
现货
1 : ¥63.38000
剪切带(CT)
1,000 : ¥35.94302
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
50A(Tc)
10V
40 毫欧 @ 24.9A,10V
4.5V @ 1.25mA
108 nC @ 10 V
±20V
4351 pF @ 400 V
-
227W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-3-2
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-247-3 AC EP
IRF200P222
MOSFET N-CH 200V 182A TO247AC
Infineon Technologies
2,033
现货
1 : ¥77.50000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
182A(Tc)
10V
6.6 毫欧 @ 82A,10V
4V @ 270µA
203 nC @ 10 V
±20V
9820 pF @ 50 V
-
556W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247AC
TO-247-3
TO-220-3
IPP60R022S7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 23A TO220-3
Infineon Technologies
876
现货
1 : ¥87.76000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
23A(Tc)
12V
22 毫欧 @ 23A,12V
4.5V @ 1.44mA
150 nC @ 12 V
±20V
5639 pF @ 300 V
-
390W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO220-3-1
TO-220-3
TO-247-3 AC EP
IPW60R024P7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 101A TO247-3-41
Infineon Technologies
198
现货
1 : ¥91.21000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
101A(Tc)
10V
24毫欧 @ 42.4A,10V
4V @ 2.03mA
164 nC @ 10 V
±20V
7144 pF @ 400 V
-
291W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO247-3-41
TO-247-3
TO-247-3L
UJ4C075023K3S
750V/23MOHM, SIC, CASCODE, G4, T
Qorvo
902
现货
1 : ¥115.92000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(共源共栅 SiCJFET)
750 V
66A(Tc)
12V
29 毫欧 @ 40A,12V
6V @ 10mA
37.8 nC @ 15 V
±20V
1400 pF @ 400 V
-
306W(Tc)
-55°C ~ 175°C
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
1,002
现货
1 : ¥153.03000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
101A(Tc)
10V
18 毫欧 @ 58.2A,10V
4.5V @ 2.91mA
251 nC @ 10 V
±20V
9901 pF @ 400 V
-
416W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO247-3
TO-247-3
C3M0065100K
C3M0021120K
SICFET N-CH 1200V 100A TO247-4L
Wolfspeed, Inc.
1,337
现货
1 : ¥336.77000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
100A(Tc)
15V
28,8 毫欧 @ 50A,15V
3,6V @ 17,7mA
162 nC @ 15 V
+15V,-4V
4818 pF @ 1000 V
-
469W(Tc)
-40°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-4L
TO-247-4
TO-247-3L
UF3SC120016K3S
SICFET N-CH 1200V 107A TO247-3
Qorvo
1,328
现货
1 : ¥399.57000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(共源共栅 SiCJFET)
1200 V
107A(Tc)
12V
21毫欧 @ 50A,12V
6V @ 10mA
218 nC @ 15 V
±20V
7824 pF @ 800 V
-
517W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-3 AC EP
SIHG052N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 48A TO247AC
Vishay Siliconix
493
现货
1 : ¥53.28000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
48A(Tc)
10V
52 毫欧 @ 23A,10V
5V @ 250µA
101 nC @ 10 V
±30V
3380 pF @ 100 V
-
278W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247AC
TO-247-3
AUIRFP4310Z BACK
IPW60R070P6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 53.5A TO247-3
Infineon Technologies
720
现货
1 : ¥62.72000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
53.5A(Tc)
10V
70 毫欧 @ 20.6A,10V
4.5V @ 1.72mA
100 nC @ 10 V
±20V
4750 pF @ 100 V
-
391W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO247-3
TO-247-3
AUIRFP4310Z BACK
IPW60R045CPAFKSA1
MOSFET N-CH 600V 60A TO247-3
Infineon Technologies
323
现货
1 : ¥162.23000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
60A(Tc)
10V
45 毫欧 @ 44A,10V
3.5V @ 3mA
190 nC @ 10 V
±20V
6800 pF @ 100 V
-
431W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
通孔
PG-TO247-3
TO-247-3
TO-247-3L
UF3C120040K3S
SICFET P-CH 1200V 65A TO247-3
Qorvo
36,012
现货
1 : ¥231.11000
管件
-
管件
在售
P 通道
SiCFET(共源共栅 SiCJFET)
1200 V
65A(Tc)
12V
45毫欧 @ 40A,12V
6V @ 10mA
51 nC @ 15 V
±25V
1500 pF @ 100 V
-
429W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
370
现货
1 : ¥71.26000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
50A(Tc)
10V
41 毫欧 @ 24.8A,10V
4.5V @ 1.24mA
102 nC @ 10 V
±20V
4975 pF @ 400 V
-
227W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO247-3
TO-247-3
TO-247-3 AC EP
SIHG039N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 63A TO247AC
Vishay Siliconix
280
现货
1 : ¥95.64000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
63A(Tc)
10V
39 毫欧 @ 32A,10V
5V @ 250µA
126 nC @ 10 V
±30V
4369 pF @ 100 V
-
357W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247AC
TO-247-3
20,705
现货
1 : ¥1.64000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.29687
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
170mA(Ta)
4.5V,10V
6 欧姆 @ 170mA,10V
2.5V @ 250µA
1.8 nC @ 10 V
±20V
45 pF @ 25 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
IFEINFAIGW50N65F5XKSA1
FCH077N65F-F155
MOSFET N-CH 650V 54A TO247
Fairchild Semiconductor
66
市场
不可用
对您所选的货币不可用
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
54A(Tc)
10V
77 毫欧 @ 27A,10V
5V @ 5.4mA
164 nC @ 10 V
±20V
7109 pF @ 100 V
-
481W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-3 HiP
STW70N60DM2
N-channel 600 V, 37 mOhm typ., 6
STMicroelectronics
0
现货
30 : ¥72.89767
管件
管件
Digi-Key 停止提供
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
66A(Tc)
10V
42 毫欧 @ 33A,10V
5V @ 250µA
121 nC @ 10 V
±25V
5508 pF @ 100 V
-
446W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
显示
/ 17

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。