单 FET,MOSFET

结果 : 9
制造商
Infineon Technologiesonsemi
系列
OptiMOS™OptiMOS™-5PowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
产品状态
不适用于新设计在售
漏源电压(Vdss)
40 V55 V80 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
6A(Ta),26A(Tc)20A(Tc)30A(Tc)40A(Tc)46A(Tj)90A(Tc)100A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V6V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
2.56 毫欧 @ 50A,10V3.3 毫欧 @ 45A,10V12 毫欧 @ 20A,10V13 毫欧 @ 20A,10V14 毫欧 @ 20A,10V23 毫欧 @ 22A,10V24 毫欧 @ 15A,10V30 毫欧 @ 10A,10V34 毫欧 @ 6A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 15µA2V @ 23µA2V @ 24µA2V @ 50µA2V @ 8µA2.2V @ 15µA2.2V @ 27µA3.8V @ 27µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
10.5 nC @ 10 V11 nC @ 10 V14 nC @ 10 V18.6 nC @ 10 V22.6 nC @ 10 V24 nC @ 10 V34 nC @ 10 V40 nC @ 10 V42 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
599 pF @ 40 V645 pF @ 50 V832 pF @ 50 V1078 pF @ 40 V1091 pF @ 25 V1525 pF @ 50 V1589 pF @ 50 V2019 pF @ 25 V2145 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
2.5W(Ta),48W(Tc)30W(Tc)45.5W(Tc)56W(Tc)62W(Tc)68W(Tc)100W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)
供应商器件封装
8-PQFN(5x6)PG-TDSON-8PG-TDSON-8-33PG-TDSON-8-34PG-TO252-3-11PG-TSDSON-8-32PG-TSDSON-8-33
封装/外壳
8-PowerTDFNTO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
9结果

显示
/ 9
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-Power TDFN
IAUZ20N08S5L300ATMA1
MOSFET N-CH 80V 20A 8TSDSON-32
Infineon Technologies
5,081
现货
1 : ¥7.55000
剪切带(CT)
5,000 : ¥2.98269
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
20A(Tc)
4.5V,10V
30 毫欧 @ 10A,10V
2V @ 8µA
10.5 nC @ 10 V
±20V
599 pF @ 40 V
-
30W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TSDSON-8-32
8-PowerTDFN
TDSON833
IAUZ30N10S5L240ATMA1
MOSFET N-CH 100V 30A 8TSDSON-32
Infineon Technologies
9,014
现货
1 : ¥10.02000
剪切带(CT)
5,000 : ¥3.79546
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
30A(Tc)
4.5V,10V
24 毫欧 @ 15A,10V
2.2V @ 15µA
14 nC @ 10 V
±20V
832 pF @ 50 V
-
45.5W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TSDSON-8-32
8-PowerTDFN
TDSON833
IAUZ40N10S5N130ATMA1
MOSFET N-CH 100V 40A 8TSDSON-33
Infineon Technologies
19,662
现货
1 : ¥11.41000
剪切带(CT)
5,000 : ¥4.50150
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
40A(Tc)
6V,10V
13 毫欧 @ 20A,10V
3.8V @ 27µA
24 nC @ 10 V
±20V
1525 pF @ 50 V
-
68W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TSDSON-8-33
8-PowerTDFN
8-PQFN
FDMS86105
MOSFET N-CH 100V 6A/26A 8PQFN
onsemi
21,506
现货
1 : ¥15.11000
剪切带(CT)
3,000 : ¥6.81986
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
6A(Ta),26A(Tc)
6V,10V
34 毫欧 @ 6A,10V
4V @ 250µA
11 nC @ 10 V
±20V
645 pF @ 50 V
-
2.5W(Ta),48W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-PQFN(5x6)
8-PowerTDFN
TO252-3
IPD30N06S2L23ATMA3
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31
Infineon Technologies
13,428
现货
1 : ¥7.64000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.08428
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
30A(Tc)
4.5V,10V
23 毫欧 @ 22A,10V
2V @ 50µA
42 nC @ 10 V
±20V
1091 pF @ 25 V
-
100W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3-11
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
PG-TDSON-8-53
IAUC40N08S5L140ATMA1
MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8
Infineon Technologies
4,244
现货
1 : ¥8.37000
剪切带(CT)
5,000 : ¥3.29744
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
40A(Tc)
4.5V,10V
14 毫欧 @ 20A,10V
2V @ 15µA
18.6 nC @ 10 V
±20V
1078 pF @ 40 V
-
56W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-33
8-PowerTDFN
46,682
现货
1 : ¥8.95000
剪切带(CT)
5,000 : ¥3.52705
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
100A(Tc)
4.5V,10V
2.56 毫欧 @ 50A,10V
2V @ 24µA
34 nC @ 10 V
±16V
2019 pF @ 25 V
-
62W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TDSON-8
8-PowerTDFN
PG-TDSON-8-34
IPC90N04S5L3R3ATMA1
MOSFET N-CH 40V 90A 8TDSON-34
Infineon Technologies
8,788
现货
1 : ¥9.69000
剪切带(CT)
5,000 : ¥3.81702
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
90A(Tc)
4.5V,10V
3.3 毫欧 @ 45A,10V
2V @ 23µA
40 nC @ 10 V
±16V
2145 pF @ 25 V
-
62W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TDSON-8-34
8-PowerTDFN
MOSFET_(75V 120V( PG-TSDSON-8
IAUZ40N10S5L120ATMA1
MOSFET_(75V 120V( PG-TSDSON-8
Infineon Technologies
4,665
现货
1 : ¥11.41000
剪切带(CT)
5,000 : ¥4.50150
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
46A(Tj)
4.5V,10V
12 毫欧 @ 20A,10V
2.2V @ 27µA
22.6 nC @ 10 V
±20V
1589 pF @ 50 V
-
62W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TSDSON-8-33
8-PowerTDFN
显示
/ 9

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。