单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Infineon TechnologiesVishay SiliconixWolfspeed, Inc.
系列
CoolMOS™TrenchFET®Z-FET™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
产品状态
不适用于新设计最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
30 V600 V1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.1A（Ta）19A（Tc）53A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
53 毫欧 @ 4A，10V70 毫欧 @ 25.8A，10V196 毫欧 @ 10A，20V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 500µA3V @ 250µA3.5V @ 1.72mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
21 nC @ 10 V32.6 nC @ 20 V170 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V+25V，-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
527 pF @ 800 V540 pF @ 15 V3800 pF @ 100 V
功率耗散（最大值）
750mW（Ta）125W（Tc）391W（Tc）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
PG-TO247-3-1SOT-23-3（TO-236）TO-247-3
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-247-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PG-TO247-3
IPW60R070C6FKSA1
MOSFET N-CH 600V 53A TO247-3
Infineon Technologies
1,451
现货
1 : ¥78.08000
管件
管件
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
53A（Tc）
10V
70 毫欧 @ 25.8A，10V
3.5V @ 1.72mA
170 nC @ 10 V
±20V
3800 pF @ 100 V
-
391W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
PG-TO247-3-1
TO-247-3
C2D10120D
C2M0160120D
SICFET N-CH 1200V 19A TO247-3
Wolfspeed, Inc.
1,413
现货
1 : ¥130.62000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1200 V
19A（Tc）
20V
196 毫欧 @ 10A，20V
2.5V @ 500µA
32.6 nC @ 20 V
+25V，-10V
527 pF @ 800 V
-
125W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-247-3
TO-247-3
SOT-23-3
SI2343DS-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT23-3
Vishay Siliconix
8,323
现货
1 : ¥5.01000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.89529
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
3.1A（Ta）
10V
53 毫欧 @ 4A，10V
3V @ 250µA
21 nC @ 10 V
±20V
540 pF @ 15 V
-
750mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。