单 FET，MOSFET

结果 : 7
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesonsemiToshiba Semiconductor and Storage
系列
-OptiMOS™ 5OptiMOS™-5PowerTrench®U-MOSVIII-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
20 V80 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.5A（Ta）6.8A（Ta）30A（Ta），224A（Tc）44A（Tc）46A（Ta），348A（Tc）70A（Tc）123A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V4.5V，10V6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.25 毫欧 @ 80A，10V1.9 毫欧 @ 50A，10V4.3 毫欧 @ 44A，10V7.4 毫欧 @ 35A，10V14.6 毫欧 @ 22A，10V25 毫欧 @ 6.5A，4.5V69 毫欧 @ 2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
900mV @ 250µA2V @ 330µA2.3V @ 23µA2.5V @ 100µA3.8V @ 36µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
3.2 nC @ 4.5 V7.1 nC @ 4.5 V10 nC @ 4.5 V30 nC @ 10 V56 nC @ 10 V112 nC @ 10 V196 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±10V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
430 pF @ 15 V647 pF @ 10 V1300 pF @ 50 V2080 pF @ 40 V4090 pF @ 40 V6900 pF @ 40 V14530 pF @ 40 V
功率耗散（最大值）
800mW1.2W（Ta）2.5W（Ta），52W（Tc）3.9W（Ta），214W（Tc）5.1W（Ta），287W（Tc）83W（Tc）125W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）175°C
供应商器件封装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）8-DFNW（8.3x8.4）8-PQFN（5x6），Power56PG-TDSON-8-33PG-TDSON-8-6SOT-23-3SOT-23F
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerTDFN，5 引线SOT-23-3 扁平引线TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
7结果
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/ 7
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
83,506
现货
1 : ¥6.16000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.43973
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
3.5A（Ta）
4.5V，10V
69 毫欧 @ 2A，10V
2.5V @ 100µA
3.2 nC @ 4.5 V
±20V
430 pF @ 15 V
-
1.2W（Ta）
175°C
-
-
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
8-Power TDFN
BSC146N10LS5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 44A TDSON-8-6
Infineon Technologies
12,685
现货
1 : ¥11.25000
剪切带（CT）
5,000 : ¥4.27218
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
44A（Tc）
4.5V，10V
14.6 毫欧 @ 22A，10V
2.3V @ 23µA
10 nC @ 4.5 V
±20V
1300 pF @ 50 V
-
2.5W（Ta），52W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-6
8-PowerTDFN
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NTMFS6H800NLT1G
MOSFET N-CH 80V 30A/224A 5DFN
onsemi
3,147
现货
1 : ¥24.22000
剪切带（CT）
1,500 : ¥11.49217
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
30A（Ta），224A（Tc）
4.5V，10V
1.9 毫欧 @ 50A，10V
2V @ 330µA
112 nC @ 10 V
±20V
6900 pF @ 40 V
-
3.9W（Ta），214W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN，5 引线
NVMTSC1D3N08M7TXG
NVMTSC1D3N08M7TXG
MOSFET N-CH 80V 46A/348A 8DFNW
onsemi
2,718
现货
1 : ¥45.56000
剪切带（CT）
3,000 : ¥22.18171
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
46A（Ta），348A（Tc）
10V
1.25 毫欧 @ 80A，10V
4V @ 250µA
196 nC @ 10 V
±20V
14530 pF @ 40 V
-
5.1W（Ta），287W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
8-DFNW（8.3x8.4）
8-PowerTDFN
SOT-23-3
DMN2024U-7
MOSFET N-CH 20V 6.8A SOT23 T&R 3
Diodes Incorporated
6,865
现货
1 : ¥3.78000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.84104
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
6.8A（Ta）
1.8V，4.5V
25 毫欧 @ 6.5A，4.5V
900mV @ 250µA
7.1 nC @ 4.5 V
±10V
647 pF @ 10 V
-
800mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
PG-TDSON-8-33
IAUC70N08S5N074ATMA1
MOSFET N-CH 80V 70A 8TDSON-33
Infineon Technologies
6,885
现货
1 : ¥13.05000
剪切带（CT）
5,000 : ¥5.15240
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
70A（Tc）
6V，10V
7.4 毫欧 @ 35A，10V
3.8V @ 36µA
30 nC @ 10 V
±20V
2080 pF @ 40 V
-
83W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TDSON-8-33
8-PowerTDFN
8-PQFN
FDMS4D4N08C
MOSFET N-CH 80V 123A 8PQFN
onsemi
2,507
现货
1 : ¥21.10000
剪切带（CT）
3,000 : ¥8.84164
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
123A（Tc）
6V，10V
4.3 毫欧 @ 44A，10V
4V @ 250µA
56 nC @ 10 V
±20V
4090 pF @ 40 V
-
125W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-PQFN（5x6），Power56
8-PowerTDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。