单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Texas InstrumentsTransphorm
系列
-NexFET™TP65H070L
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
技术
GaNFET（氮化镓）MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V40 V650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
21A（Ta），85A（Tc）25A（Tc）100A（Tc）300A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
0.96 毫欧 @ 32A，10V2.4 毫欧 @ 20A，10V3.1 毫欧 @ 20A，10V85 毫欧 @ 16A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.2V @ 250µA2.3V @ 250µA2.4V @ 250µA4.8V @ 700µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
9.3 nC @ 10 V70 nC @ 10 V153 nC @ 10 V196 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
600 pF @ 400 V3780 pF @ 20 V9120 pF @ 15 V11400 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）
2.3W（Ta），83W（Tc）78W（Tc）96W（Tc）156W（Tc）
供应商器件封装
3-PQFN（8x8）8-DFN（5x6）8-VSON-CLIP（5x6）
封装/外壳
3-PowerDFN8-PowerSMD，扁平引线8-PowerTDFN
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
29,664
现货
1 : ¥13.55000
剪切带（CT）
3,000 : ¥5.61375
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
100A（Tc）
4.5V，10V
2.4 毫欧 @ 20A，10V
2.4V @ 250µA
70 nC @ 10 V
±20V
3780 pF @ 20 V
-
78W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-DFN（5x6）
8-PowerSMD，扁平引线
8-DFN
AON6403
MOSFET P-CH 30V 21A/85A 8DFN
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
12,317
现货
1 : ¥15.43000
剪切带（CT）
3,000 : ¥6.94754
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
21A（Ta），85A（Tc）
4.5V，10V
3.1 毫欧 @ 20A，10V
2.2V @ 250µA
196 nC @ 10 V
±20V
9120 pF @ 15 V
-
2.3W（Ta），83W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-DFN（5x6）
8-PowerSMD，扁平引线
PQFN_8x8
TP65H070LSG-TR
GANFET N-CH 650V 25A PQFN88
Transphorm
12,306
现货
1 : ¥72.82000
剪切带（CT）
500 : ¥61.05824
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
650 V
25A（Tc）
10V
85 毫欧 @ 16A，10V
4.8V @ 700µA
9.3 nC @ 10 V
±20V
600 pF @ 400 V
-
96W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
3-PQFN（8x8）
3-PowerDFN
8-Power TDFN
CSD18510Q5BT
MOSFET N-CH 40V 300A 8VSON
Texas Instruments
551
现货
1 : ¥21.84000
剪切带（CT）
250 : ¥14.08424
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
300A（Tc）
4.5V，10V
0.96 毫欧 @ 32A，10V
2.3V @ 250µA
153 nC @ 10 V
±20V
11400 pF @ 20 V
-
156W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-VSON-CLIP（5x6）
8-PowerTDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。