单 FET,MOSFET

结果 : 3
制造商
Infineon TechnologiesLittelfuse Inc.Vishay Siliconix
系列
-TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
60 V100 V250 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
185mA(Ta)190mA(Ta)360mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
0V0V,10V4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
2.9 欧姆 @ 190mA,10V4 欧姆 @ 200mA,0V6 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.8V @ 50µA3V @ 250µA-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
1.7 nC @ 15 V2.1 nC @ 7 V
Vgs(最大值)
±15V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
23 pF @ 25 V51 pF @ 25 V350 pF @ 25 V
FET 功能
-耗尽模式
功率耗散(最大值)
350mW(Ta)360mW(Ta)1.1W(Ta)
工作温度
-55°C ~ 125°C(TA)-55°C ~ 150°C(TJ)
供应商器件封装
PG-SOT-23-3SOT-23-3(TO-236)SOT-89-3
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3TO-243AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果

显示
/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
TP0610K-T1-E3
MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23-3
Vishay Siliconix
768,018
现货
1 : ¥3.86000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.04978
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
185mA(Ta)
4.5V,10V
6 欧姆 @ 500mA,10V
3V @ 250µA
1.7 nC @ 15 V
±20V
23 pF @ 25 V
-
350mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
CPC3703CTR
CPC3703CTR
MOSFET N-CH 250V 360MA SOT89-3
Littelfuse Inc.
9,768
现货
1 : ¥7.72000
剪切带(CT)
1,000 : ¥3.27683
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
250 V
360mA(Ta)
0V
4 欧姆 @ 200mA,0V
-
-
±15V
350 pF @ 25 V
耗尽模式
1.1W(Ta)
-55°C ~ 125°C(TA)
表面贴装型
SOT-89-3
TO-243AA
BSS127IXTSA1
BSS169IXTSA1
MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Infineon Technologies
3,001
现货
1 : ¥3.86000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.85040
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
190mA(Ta)
0V,10V
2.9 欧姆 @ 190mA,10V
1.8V @ 50µA
2.1 nC @ 7 V
±20V
51 pF @ 25 V
耗尽模式
360mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
显示
/ 3

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。