单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
GeneSiC SemiconductorInfineon Technologiesonsemi
系列
-G3R™OptiMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
技术
MOSFET（金属氧化物）SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
40 V1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
40A（Ta），100A（Tc）68A（Tc）90A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V15V18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1mOhm @ 50A， 10V30 毫欧 @ 40A， 18V36 毫欧 @ 50A，15V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.3V @ 250µA2.69V @ 12mA4.4V @ 20mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
67 nC @ 4.5 V151 nC @ 18 V155 nC @ 15 V
Vgs（最大值）
±15V±20V+22V，-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
3175 pF @ 800 V3901 pF @ 800 V4600 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）
3W（Ta），150W（Tc）352W（Tc）400W（Tc）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
PG-TDSON-8-6TO-247-4TO-247-4L
封装/外壳
8-PowerTDFNTO-247-4
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-Power TDFN
BSC010N04LS6ATMA1
MOSFET N-CH 40V 40A/100A TDSON
Infineon Technologies
14,864
现货
1 : ¥18.23000
剪切带（CT）
5,000 : ¥7.89413
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
40A（Ta），100A（Tc）
4.5V，10V
1mOhm @ 50A， 10V
2.3V @ 250µA
67 nC @ 4.5 V
±20V
4600 pF @ 20 V
-
3W（Ta），150W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-6
8-PowerTDFN
TO-247-4 Top
G3R30MT12K
SIC MOSFET N-CH 90A TO247-4
GeneSiC Semiconductor
1,479
现货
1 : ¥184.96000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1200 V
90A（Tc）
15V
36 毫欧 @ 50A，15V
2.69V @ 12mA
155 nC @ 15 V
±15V
3901 pF @ 800 V
-
400W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247-4
TO-247-4
TO-247-4
NVH4L022N120M3S
SIC MOS TO247-4L 22MOHM 1200V
onsemi
837
现货
213,300
工厂
1 : ¥227.65000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1200 V
68A（Tc）
18V
30 毫欧 @ 40A， 18V
4.4V @ 20mA
151 nC @ 18 V
+22V，-10V
3175 pF @ 800 V
-
352W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
通孔
TO-247-4L
TO-247-4
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。