单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Infineon TechnologiesToshiba Semiconductor and Storage
系列
OptiMOS®-P2U-MOSVI
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
73A（Tc）80A（Ta）85A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
5.2 毫欧 @ 40A，10V7.3 毫欧 @ 85A，10V8.9 毫欧 @ 70A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3V @ 1mA4V @ 120µA4V @ 150µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
70 nC @ 10 V89 nC @ 10 V158 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
+10V，-20V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
4810 pF @ 25 V6085 pF @ 25 V7770 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
75W（Tc）88W（Tc）100W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）175°C
供应商器件封装
DPAK+PG-TO252-3-313
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO252-3
IPD70P04P409ATMA2
MOSFET P-CH 40V 73A TO252-3
Infineon Technologies
9,808
现货
1 : ¥12.40000
剪切带（CT）
2,500 : ¥5.59794
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
73A（Tc）
-
8.9 毫欧 @ 70A，10V
4V @ 120µA
70 nC @ 10 V
±20V
4810 pF @ 25 V
-
75W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TO252-3-313
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO252-3
IPD85P04P407ATMA2
MOSFET P-CH 40V 85A TO252-3
Infineon Technologies
18,396
现货
1 : ¥14.53000
剪切带（CT）
2,500 : ¥6.56952
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
85A（Tc）
-
7.3 毫欧 @ 85A，10V
4V @ 150µA
89 nC @ 10 V
±20V
6085 pF @ 25 V
-
88W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TO252-3-313
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
5,565
现货
1 : ¥17.57000
剪切带（CT）
2,000 : ¥5.16775
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
80A（Ta）
6V，10V
5.2 毫欧 @ 40A，10V
3V @ 1mA
158 nC @ 10 V
+10V，-20V
7770 pF @ 10 V
-
100W（Tc）
175°C
-
-
表面贴装型
DPAK+
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。